[發(fā)明專利]一種使用ABF增層膜片進行內(nèi)層基板通孔塞孔的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110588137.3 | 申請日： | 2021-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN113382544B | 公開（公告）日： | 2022-10-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 于中堯;方志丹;楊芳 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | H05K3/00 | 分類號： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 使用 abf 膜片 進行 內(nèi)層 基板通孔塞孔 方法 | ||
1.一種使用ABF增層膜片進行內(nèi)層基板通孔塞孔的方法，其特征在于，內(nèi)層基板經(jīng)過第一真空壓膜處理及第一整平處理得到第一增層線路板后，包括：
對所述第一增層線路板進行真空烘烤得到第二增層線路板；
對所述第二增層線路板進行第二真空壓膜處理及第二整平處理；
所述真空烘烤包括將所述第一增層線路板置于第三溫度下恒溫抽至第三真空度，保持第三真空時間，其中，所述第三溫度為90℃-120℃，所述第三真空時間為5-60min，所述第三真空度優(yōu)于10pa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用ABF增層膜片進行內(nèi)層基板通孔塞孔的方法，其特征在于，所述第二真空壓膜處理包括在第四溫度下保持真空達到第四真空時間，在第四壓力下保持第四壓合時間，壓合第一ABF增層膜片與內(nèi)層基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用ABF增層膜片進行內(nèi)層基板通孔塞孔的方法，其特征在于，所述第二真空壓膜處理及第二整平處理后，包括預(yù)固化，其中，所述預(yù)固化包括對所述第二增層線路板進行烘烤，第一階段于第六溫度下烘烤第六時間，第二階段于第七溫度下烘烤第七時間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的一種使用ABF增層膜片進行內(nèi)層基板通孔塞孔的方法，其特征在于，所述第一真空壓膜處理及第一整平處理之前包括在第八溫度下烘烤所述內(nèi)層基板，所述烘烤持續(xù)第八時間。
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