[發(fā)明專利]聲表面波裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110587483.X
• 申請(qǐng)日: 2021-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN113114159B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王陽(yáng);陸彬;曹庭松;吳洋洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京超材信息科技有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/145
• 分類號(hào): H03H9/145
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

本發(fā)明提出了一種聲表面波裝置，包括：壓電基板；IDT電極，所述IDT電極包括多個(gè)IDT電極單元，所述多個(gè)IDT電極單元層疊設(shè)置在所述壓電基板上，其中每個(gè)IDT電極單元包括：第一緩沖層，設(shè)置在所述壓電基板上，所述第一緩沖層包括金屬鈦或鉻中的至少一種，在將所述IDT電極的電極周期所確定的彈性波的波長(zhǎng)設(shè)為λ時(shí)，所述第一緩沖層的厚度為0.5％λ以下；第一金屬層，設(shè)置在所述第一緩沖遠(yuǎn)層離所述壓電基板的表面上，所述第一金屬層包括鋁,所述第一金屬層的厚度范圍在1％λ?30％λ之間。根據(jù)本發(fā)明的聲表面裝置，能夠提高鋁的抗電遷移能力，在提高聲表面波裝置的最大耐受功率的同時(shí)，還可以提高聲表面波裝置的耐久性，并且能夠兼顧聲表面波裝置的頻率特性，避免聲表面波裝置的頻率隨溫度變化漂移比較大，增強(qiáng)溫度穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及聲表面波技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種聲表面波裝置。

背景技術(shù)

SAW濾波器的關(guān)鍵指標(biāo)中，主要的有兩類，一類是小信號(hào)參數(shù)，另一類是功率指標(biāo)。其中小信號(hào)參數(shù)即S參數(shù)表征器件在實(shí)際使用中的性能優(yōu)劣，而功率指標(biāo)則主要是器件的最大耐受功率(燒毀臨界功率)。

目前SAW濾波器支持的最大耐受功率僅能滿足4G下的手機(jī)客戶端、物聯(lián)網(wǎng)客戶端的功率需求。在5G要求下，如B41等頻段對(duì)于功率需求相對(duì)于4G有所增長(zhǎng)。這導(dǎo)致了市面上的SAW濾波器無法滿足5G高功率需求。

此外，隨著器件頻率的提高，IDT(Interdigital transducer)電極的線條將變得更加細(xì)小，來自于聲表面波的重復(fù)應(yīng)力隨著頻率提高而急劇增加，導(dǎo)致濾波器失效，因此在SAW濾波器的最大耐受功率提高時(shí)，耐久性會(huì)降低。

現(xiàn)有技術(shù)中亟需一種技術(shù)能夠提高SAW濾波器的最大耐受功率，也不會(huì)降低耐久性。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種聲表面波裝置，包括：壓電基板；IDT電極，所述IDT電極包括多個(gè)IDT電極單元，所述多個(gè)IDT電極單元層疊設(shè)置在所述壓電基板上，其中，每個(gè)IDT電極單元包括：第一緩沖層，設(shè)置在所述壓電基板上，所述第一緩沖層包括金屬鈦或鉻中的至少一種，在將所述IDT電極的電極周期所確定的彈性波的波長(zhǎng)設(shè)為λ時(shí)，所述第一緩沖層的厚度為0.5％λ以下；第一金屬層，設(shè)置在所述第一緩沖遠(yuǎn)層離所述壓電基板的表面上，所述第一金屬層包括鋁,所述第一金屬層的厚度范圍在1％-30％λ之間。

其中，所述第一金屬層中Al的含量在97wt％以上，所述第一金屬層還包括含有Al、Si和Cu的金屬間化合物。

其中，所述IDT電極的側(cè)面為傾斜面，所述傾斜面與所述壓電基板所成的角度為95-135°之間。

其中，所述第一金屬層還包括選自Cu、W、Mo、Cr、Ag、Au、Pt、Ga、Nb、Ta、Au、Si、Sc中的一種或一種以上的材料。

其中，所述金屬鈦或鉻的含量在98％以上，所述第一緩沖層還包括選自Al、Si、Mg、Ni中的一種或一種以上的材料。

其中，所述多個(gè)IDT電極單元包括第一IDT電極單元和設(shè)置在第一IDT電極單元遠(yuǎn)離所述壓電基板表面上的第二IDT電極單元。

其中，所述第一IDT電極單元的第一緩沖層與所述第二IDT單元的第一緩沖層的成分和厚度相同，和/或所述第一IDT電極單元的第一金屬層與所述第二IDT單元的第一金屬層的成分和厚度相同。

其中，所述第二IDT電極單元的第一金屬層包括的鋁的含量小于所述第一IDT電極單元的第一金屬層包括的鋁的含量。

其中，所述第二IDT電極單元的第一金屬層的厚度大于所述第一IDT電極單元的第一金屬層的厚度，并為所述第一IDT電極單元的第一金屬層厚度的10倍以上以下。