[發明專利]聲表面波裝置

有效

• 申請號: 202110587483.X
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113114159B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 王陽;陸彬;曹庭松;吳洋洋
• 申請（專利權）人: 北京超材信息科技有限公司
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

1.一種聲表面波裝置，包括：

壓電基板；

IDT電極，所述IDT電極包括多個IDT電極單元，所述多個IDT電極單元層疊設置在所述壓電基板上，其中

每個IDT電極單元包括：第一緩沖層，設置在所述壓電基板上，所述第一緩沖層由金屬鈦或鉻中的至少一種組成，在將所述IDT電極的電極周期所確定的彈性波的波長設為λ時，所述第一緩沖層的厚度為0.5％λ以下；第一金屬層，設置在所述第一緩沖遠層離所述壓電基板的表面上，所述第一金屬層包括鋁,所述第一金屬層的厚度范圍在1％λ-30％λ之間，所述第一金屬層中Al的含量在97wt％以上，所述第一金屬層還包括含有Al、Si和Cu的金屬間化合物。

2.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其中所述IDT電極的側面為傾斜面，所述傾斜面與所述壓電基板所成的角度為95-135°之間。

3.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其中，所述第一金屬層還包括選自Cu、W、Mo、Cr、Ag、Au、Pt、Ga、Nb、Ta、Au、Si、Sc中的一種或一種以上的材料。

4.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其中，所述金屬鈦或鉻的含量在98％以上，所述第一緩沖層還包括選自Al、Si、Mg、Ni中的一種或一種以上的材料。

5.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其中，所述多個IDT電極單元包括第一IDT電極單元和設置在第一IDT電極單元遠離所述壓電基板表面上的第二IDT電極單元。

6.如權利要求5所述的聲表面波裝置，所述第一IDT電極單元的第一緩沖層與所述第二IDT單元的第一緩沖層的成分和厚度相同，和/或所述第一IDT電極單元的第一金屬層與所述第二IDT單元的第一金屬層的成分和厚度相同。

7.如權利要求5所述的聲表面波裝置，其中，所述第二IDT電極單元的第一金屬層包括的鋁的含量小于所述第一IDT電極單元的第一金屬層包括的鋁的含量。

8.如權利要求5所述的聲表面波裝置，其中，所述第二IDT電極單元的第一金屬層的厚度大于所述第一IDT電極單元的第一金屬層的厚度，并為所述第一IDT電極單元的第一金屬層厚度的10倍以上以下。

9.如權利要求6-8中任一所述的聲表面波裝置，其中，所述壓電基板包括：

高聲速支撐基板，所述高聲速支撐基板為硅基板；

壓電膜，設置在所述高聲速支撐基板的表面上；

所述IDT電極設置在所述壓電膜遠離所述高聲速支撐基板的表面上。

10.如權利要求9所述的聲表面波裝置，還包括介質層，所述介質層設置在所述高聲速支撐基板與所述壓電膜之間，或者設置在在所述IDT電極遠離所述壓電基板的表面上，所述介質層的熱膨脹系數低于6×10^-6/K。

11.如權利要求6-8中任一所述的聲表面波裝置，還包括：

所述壓電基板中設置有凹槽結構，所述凹槽結構容置所述IDT電極，所述凹槽結構的深度大于或等于所述第一IDT單元中的第一緩沖層的厚度。