[發明專利]一種電路板的背鉆加工方法及電路板

在審

• 申請號: 202110587332.4
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN115413150A
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 林淡填;韓雪川;劉海龍;吳杰
• 申請（專利權）人: 深南電路股份有限公司
• 主分類號: H05K3/42
• 分類號: H05K3/42;H05K3/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種電路板的背鉆加工方法，其特征在于，包括：

獲取到待背鉆板，所述待背鉆板包括待背鉆金屬化孔，以及導電線路層和介質層；

基于待得到的背鉆孔和所述介質層，確定殘銅率計算的區域；

基于所述殘銅率計算的區域，確定所述背鉆孔的背鉆深度；

基于所述背鉆深度對所述待背鉆金屬化孔進行背鉆，得到所述背鉆孔。

2.根據權利要求1所述的背鉆加工方法，其特征在于，所述基于待得到的背鉆孔和所述介質層，確定殘銅率計算的區域的步驟，包括：

基于所述待得到的背鉆孔的直徑以及所述介質層的材料流動補償值，確定殘銅率計算的區域。

3.根據權利要求1所述的背鉆加工方法，其特征在于，所述基于所述殘銅率計算的區域，確定所述背鉆孔的背鉆深度的步驟，包括：

在所述殘銅率計算的區域內，基于所述介質層的流動填充，確定各層所述介質層的厚度；

基于所述介質層的厚度，確定所述背鉆孔的背鉆深度。

4.根據權利要求3所述的背鉆加工方法，其特征在于，所述在所述殘銅率計算的區域內，基于所述介質層的流動情況以及填充情況，確定各層所述介質層的厚度的步驟，包括：

在所述殘銅率計算的區域內，基于所述介質層的流動性能和填充情況，以及所述介質層的漲縮情況，確定各層所述介質層的厚度。

5.根據權利要求1所述的背鉆加工方法，其特征在于，所述待背鉆板包括多個所述待背鉆金屬化孔；

所述基于待得到的背鉆孔和所述介質層，確定殘銅率計算的區域的步驟包括：

根據每一個所述待背鉆金屬化孔和所述介質層，確定每一個所述待背鉆金屬化孔對應的殘銅率計算的區域；

所述基于所述殘銅率計算的區域，確定所述待背鉆金屬化孔的背鉆深度的步驟包括：

基于每一個所述待背鉆金屬化孔對應的殘銅率計算的區域，確定每一個所述待背鉆金屬化孔的背鉆深度。

6.根據權利要求1所述的背鉆加工方法，其特征在于，所述待背鉆板包括目標信號層；其中，所述目標信號層為對應當前背鉆任務的信號層；

所述基于所述殘銅率計算的區域，確定所述背鉆孔的背鉆深度的步驟，包括：

基于所述殘銅率計算的區域，確定第一間距，其中，所述第一間距由所述待背鉆板的待背鉆一側表面至所述目標信號層的間距；

基于所述第一間距、鉆尖補償值、鍍銅銅厚補償值以及金屬化孔殘樁長度的目標控制值，確定所述背鉆孔的背鉆深度。

7.根據權利要求1所述的背鉆加工方法，其特征在于，所述待背鉆板包括導電參考層和目標信號層；其中，所述目標信號層為對應當前背鉆任務的信號層；

所述基于所述殘銅率計算的區域，確定所述背鉆孔的背鉆深度的步驟，包括：

基于所述殘銅率計算的區域，確定第二間距，其中，所述第二間距為所述導電參考層與所述目標信號層之間的間距；

基于所述第二間距，確定所述背鉆孔的背鉆深度。

8.根據權利要求7所述的背鉆加工方法，其特征在于，所述基于所述第二間距，確定所述背鉆孔的背鉆深度的步驟，包括：

基于所述第二間距、鉆尖補償值、鍍銅銅厚補償值以及金屬化孔殘樁長度的目標控制值，確定所述背鉆孔的背鉆深度。

9.根據權利要求8所述的背鉆加工方法，其特征在于，所述基于所述背鉆深度對所述待背鉆金屬化孔進行背鉆，得到所述背鉆孔的步驟包括：

控制背鉆鉆頭從所述待背鉆板用于背鉆一側表面開始向所述目標信號層移動進行第一次背鉆，鉆至所述導電參考層，并獲取第一背鉆深度；

退回背鉆鉆頭，基于所述第一背鉆深度、所述第二間距、鉆尖補償值、鍍銅銅厚補償值以及金屬化孔殘樁長度的目標控制值，確定所述背鉆孔的第二背鉆深度；

控制所述背鉆鉆頭以第二背鉆深度從用于背鉆一側表面開始向所述目標信號層移動完成第二次背鉆。

10.一種電路板，其特征在于，通過權利要求1-9中任一項所述的背鉆加工方法制造而成。