[發明專利]半導體器件和形成半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202110585243.6
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113363206A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 黃嘉銘;鄭明達;李松柏;陳榮佑;管清華;李梓光
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532;H01L21/82;H01L27/06;H01L27/13
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

方法包括在導電部件上方沉積第一鈍化層，其中第一鈍化層具有第一介電常數；在第一鈍化層上方形成電容器；在電容器上方沉積第二鈍化層，其中第二鈍化層具有大于第一介電常數的第二介電常數。該方法還包括在電容器上方形成電連接到電容器的再分布線；在再分布線上方沉積第三鈍化層；以及形成穿透第三鈍化層以電連接至再分布線的凸塊下金屬(UBM)。本申請的實施例還涉及半導體器件和形成半導體器件的方法。

技術領域

本申請的實施例涉及半導體器件和形成半導體器件的方法。

背景技術

在集成電路的形成中，諸如晶體管的集成電路器件形成在晶圓中的半導體襯底的表面處。然后，在集成電路器件上方形成互連結構。金屬焊盤形成在互連結構上方并且電耦合至互連結構。鈍化層和第一聚合物層形成在金屬焊盤上方，金屬焊盤通過鈍化層和第一聚合物層中的開口暴露。

然后，可以形成再分布線以連接至金屬焊盤的頂面，隨后在再分布線上方形成第二聚合物層。凸塊下金屬(UBM)形成為延伸至第二聚合物層中的開口中，其中，UBM電連接至再分布線。可以將焊球放置在UBM上方并且回流。

發明內容

本申請的一些實施例提供了一種形成半導體器件的方法，包括：在導電部件上方沉積第一鈍化層，其中，所述第一鈍化層具有第一介電常數；在所述第一鈍化層上方形成電容器；在所述電容器上方沉積第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層具有大于所述第一介電常數的第二介電常數；在所述電容器上方形成電連接到所述電容器的再分布線；在所述再分布線上方沉積第三鈍化層；以及形成穿透所述第三鈍化層以電連接至所述再分布線的凸塊下金屬(UBM)。

本申請的另一些實施例提供了一種半導體器件，包括：導電焊盤；第一鈍化層，位于所述導電焊盤上方，其中，所述第一鈍化層包括第一介電材料，并且所述第一鈍化層具有第一介電常數；第二鈍化層，位于所述第一鈍化層上方，其中，所述第二鈍化層具有高于所述第一介電常數的第二介電常數；電容器，夾置在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層之間；第三鈍化層，位于所述第二鈍化層上方；第一再分布線，穿透所述第二鈍化層以接觸所述電容器的電容器電極的頂面；以及第二再分布線，穿透所述第二鈍化層和所述第一鈍化層兩者以接觸所述導電焊盤。

本申請的又一些實施例提供了一種半導體器件，包括：導電部件；第一蝕刻停止層，位于所述導電部件上方并且接觸所述導電部件；第一鈍化層，位于所述第一蝕刻停止層上方，其中，所述第一鈍化層具有第一孔隙率值；電容器，位于所述第一鈍化層上方；第二蝕刻停止層，位于所述電容器上方；第二鈍化層，位于所述第二蝕刻停止層上方，其中，所述第二鈍化層具有低于所述第一孔隙率值的第二孔隙率值；第一再分布線，穿透所述第二鈍化層和所述第二蝕刻停止層以電連接到所述電容器；以及第二再分布線，穿透所述第二鈍化層、所述第一鈍化層和所述第一蝕刻停止層以電連接到所述導電部件。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1至15示出了根據一些實施例的封裝的形成中間階段的截面視圖。

圖16示出了根據一些實施例的用于形成器件的工藝流程。

具體實施方式

以下公開提供了許多用于實現本發明的不同特征的不同的實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅是實例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成附加部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可以在各個示例中重復參考數字和/字母。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示討論的各個實施例和/或配置之間的關系。