[發明專利]半導體器件和形成半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202110585243.6
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113363206A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 黃嘉銘;鄭明達;李松柏;陳榮佑;管清華;李梓光
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532;H01L21/82;H01L27/06;H01L27/13
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

在導電部件上方沉積第一鈍化層，其中，所述第一鈍化層具有第一介電常數；

在所述第一鈍化層上方形成電容器；

在所述電容器上方沉積第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層具有大于所述第一介電常數的第二介電常數；

在所述電容器上方形成電連接到所述電容器的再分布線；

在所述再分布線上方沉積第三鈍化層；以及

形成穿透所述第三鈍化層以電連接至所述再分布線的凸塊下金屬(UBM)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述第二鈍化層包括將相同的材料沉積為所述第一鈍化層，其中，與所述第二鈍化層相比，更多的致孔劑摻入所述第一鈍化層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述電容器包括形成金屬-絕緣體-金屬電容器。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述第一鈍化層之前，沉積第一蝕刻停止層；

在形成所述電容器之后并且在沉積所述第二鈍化層之前，沉積第二蝕刻停止層；以及

實施蝕刻工藝以蝕刻穿過所述第二鈍化層，以形成停止在所述第二蝕刻停止層的第一頂面上的第一開口，以及蝕刻穿過所述第二鈍化層和所述第一鈍化層以形成停止在所述第一蝕刻停止層的頂面上的第二開口。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第一開口和所述第二開口在相同的蝕刻工藝中形成。

6.根據權利要求4所述的方法，還包括：

在共同的工藝中，蝕刻穿過所述第一蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，使用相同的介電材料沉積所述第一蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一鈍化層是低k介電層，并且所述第二鈍化層是非低k介電層。

9.一種半導體器件，包括：

導電焊盤；

第一鈍化層，位于所述導電焊盤上方，其中，所述第一鈍化層包括第一介電材料，并且所述第一鈍化層具有第一介電常數；

第二鈍化層，位于所述第一鈍化層上方，其中，所述第二鈍化層具有高于所述第一介電常數的第二介電常數；

電容器，夾置在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層之間；

第三鈍化層，位于所述第二鈍化層上方；

第一再分布線，穿透所述第二鈍化層以接觸所述電容器的電容器電極的頂面；以及

第二再分布線，穿透所述第二鈍化層和所述第一鈍化層兩者以接觸所述導電焊盤。

10.一種半導體器件，包括：

導電部件；

第一蝕刻停止層，位于所述導電部件上方并且接觸所述導電部件；

第一鈍化層，位于所述第一蝕刻停止層上方，其中，所述第一鈍化層具有第一孔隙率值；

電容器，位于所述第一鈍化層上方；

第二蝕刻停止層，位于所述電容器上方；

第二鈍化層，位于所述第二蝕刻停止層上方，其中，所述第二鈍化層具有低于所述第一孔隙率值的第二孔隙率值；

第一再分布線，穿透所述第二鈍化層和所述第二蝕刻停止層以電連接到所述電容器；以及

第二再分布線，穿透所述第二鈍化層、所述第一鈍化層和所述第一蝕刻停止層以電連接到所述導電部件。