[發(fā)明專利]一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝

在審

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• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113314409A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔文榮
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇晟馳微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421
• 代理人: 丁桂紅

本發(fā)明屬于芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，針對現(xiàn)有的芯片制作漏電流大，高溫反偏及抗浪涌能力弱問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括以下工藝步驟：S1：擴(kuò)散前處理；S2：氧化；S3：光刻；S4：P+硼擴(kuò)散；S5：N+淀積；S6：對氧化片加工；S7：對硅片進(jìn)行加工，所述S1中準(zhǔn)備并采用N型單晶硅片，通過酸、SC3#配方清洗工序，對硅片表面進(jìn)行化學(xué)處理。本發(fā)明使用干法加濕法共同生長的氧化層作為隔離層，降低PN結(jié)側(cè)面漏電；選用專用合適的N型襯底新材料，使用平面氧化層工藝降低漏電流；根據(jù)產(chǎn)品需求選用特定電阻率N型拋光片，背面采用合適的吸雜降低漏電。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝。

背景技術(shù)

手機(jī)芯片通常是指應(yīng)用于手機(jī)通訊功能的芯片，包括基帶、處理器、協(xié)處理器、RF、觸摸屏控制器芯片等，手機(jī)芯片使用十分廣泛，。

現(xiàn)有的芯片制作漏電流大，高溫反偏及抗浪涌能力弱。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有的芯片制作漏電流大，高溫反偏及抗浪涌能力弱的缺點，而提出的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：

一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，包括以下工藝步驟：

S1：擴(kuò)散前處理；

S2：氧化；

S3：光刻；

S4：P+硼擴(kuò)散；

S5：N+淀積；

S6：對氧化片加工；

S7：對硅片進(jìn)行加工。

優(yōu)選的，所述S1中準(zhǔn)備并采用N型單晶硅片，通過酸、SC3#配方清洗工序，對硅片表面進(jìn)行化學(xué)處理。

優(yōu)選的，所述S2中把擴(kuò)散前處理的硅片在1150℃的氧化爐中氧化形成一層氧化層。

優(yōu)選的，所述S3中把氧化后的硅片進(jìn)行涂膠、曝光、顯影、去氧化層工序，在正面刻出一次擴(kuò)散圖形：

涂膠，采用旋轉(zhuǎn)涂抹的方式在氧化后的硅片表面進(jìn)行均勻涂抹；

曝光，利用透明玻璃或不透明材料制作掩膜版投影到透鏡上，透鏡縮小掩膜版投影到光刻膠上的圖形，利用紫外線對光刻膠進(jìn)行照射形成聚合物；

顯影，利用顯影液將未被曝光區(qū)域去除。

優(yōu)選的，所述S4中在硅片表面，用硼涂布源工藝進(jìn)行涂布，在高溫時，沉積100分鐘左右，可得到合適的低濃度沉積層，借助后道推進(jìn)流程，將P+深度推到本產(chǎn)品所需的合適深度，形成寬P+層區(qū)。

優(yōu)選的，所述S5中在硅片的正面均勻涂布光刻膠，利用光刻膠對硅片正面進(jìn)行保護(hù)，對硅片的背面用100％HF腐蝕干凈，通過磷氣態(tài)源使其形成高濃度的N+層。

優(yōu)選的，所述S6中對氧化片進(jìn)行再次光刻，并選擇性地腐蝕掉氧化層，露出P+區(qū)域。

優(yōu)選的，所述S7中在硅片上蒸發(fā)TI\NI\AG金屬，通過金屬光刻工藝刻出所需的焊接電極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：

本發(fā)明使用干法加濕法共同生長的氧化層作為隔離層，降低PN結(jié)側(cè)面漏電；選用專用合適的N型襯底新材料，使用平面氧化層工藝降低漏電流；根據(jù)產(chǎn)品需求選用特定電阻率N型拋光片，背面采用合適的吸雜降低漏電。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝的一種流程圖；