[發(fā)明專利]一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110584920.2
• 申請(qǐng)日: 2021-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113314409A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔文榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇晟馳微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/329
• 分類號(hào): H01L21/329
• 代理公司: 北京天盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421
• 代理人: 丁桂紅

1.一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，其特征在于，包括以下工藝步驟：

S1：擴(kuò)散前處理；

S2：氧化；

S3：光刻；

S4：P+硼擴(kuò)散；

S5：N+淀積；

S6：對(duì)氧化片加工；

S7：對(duì)硅片進(jìn)行加工。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，其特征在于，所述S1中準(zhǔn)備并采用N型單晶硅片，通過(guò)酸、SC3#配方清洗工序，對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，其特征在于，所述S2中把擴(kuò)散前處理的硅片在1150℃的氧化爐中氧化形成一層氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，其特征在于，所述S3中把氧化后的硅片進(jìn)行涂膠、曝光、顯影、去氧化層工序，在正面刻出一次擴(kuò)散圖形：

涂膠，采用旋轉(zhuǎn)涂抹的方式在氧化后的硅片表面進(jìn)行均勻涂抹；

曝光，利用透明玻璃或不透明材料制作掩膜版投影到透鏡上，透鏡縮小掩膜版投影到光刻膠上的圖形，利用紫外線對(duì)光刻膠進(jìn)行照射形成聚合物；

顯影，利用顯影液將未被曝光區(qū)域光刻膠去除。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，其特征在于，所述S4中在硅片表面，用硼涂布源工藝進(jìn)行涂布，在高溫時(shí)，沉積100分鐘左右，可得到合適的低濃度沉積層，借助后道推進(jìn)流程，將P+深度推到本產(chǎn)品所需的合適深度，形成寬P+層區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，其特征在于，所述S5中在硅片的正面均勻涂布光刻膠，利用光刻膠對(duì)硅片正面進(jìn)行保護(hù)，對(duì)硅片的背面用100％HF腐蝕干凈，通過(guò)磷氣態(tài)源使其形成高濃度的N+層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，其特征在于，所述S6中對(duì)氧化片進(jìn)行再次光刻，并選擇性地腐蝕掉氧化層，露出P+區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種手機(jī)VBAT端低壓保護(hù)芯片制造工藝，其特征在于，所述S7中在硅片上蒸發(fā)TI\NI\AG金屬，通過(guò)金屬光刻工藝刻出所需的焊接電極。