[發明專利]光掩模結構

在審

• 申請號: 202110584768.8
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113608406A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 何熊武;徐偉國;白源吉;談文毅
• 申請（專利權）人: 聯芯集成電路制造(廈門)有限公司
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種光掩模結構，包括一基板；一主動電路區域，位于所述基板上；至少一個目標圖案，位于所述主動電路區域內；以及至少一虛設圖案分布在所述基板上，以將所述光掩模結構的透射率保持在一預定范圍內。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種光掩模結構。

背景技術

曝光設備用于將電路圖案的圖像轉印到晶片上，用于制造半導體元件，并將半導體元件集成在芯片上。曝光設備包括投影透鏡單元，該投影透鏡單元將形成在光掩模上的電路圖案的圖像轉印到芯片上。

透鏡加熱是由高功率激光驅動的現象，該高功率激光被透鏡材料吸收，并且通常是由于光掩模上的高度周期性結構導致透鏡中的熱負載不平衡而引起的。透鏡加熱和光掩模加熱是半導體工業中的常見問題，透鏡加熱和光掩模加熱導致的疊對偏移(overlayimpact)仍有待進一步解決。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種改良的光掩模結構，可以解決上述現有技術的不足與缺點。

本發明一方面提供一種光掩模結構，包括一基板；一主動電路區域，位于所述基板上；至少一個目標圖案，位于所述主動電路區域內；以及至少一虛設圖案分布在所述基板上，以將所述光掩模結構的透射率保持在一預定范圍內。

根據本發明實施例，所述預定范圍在之間。

根據本發明實施例，所述至少一虛設圖案配置在所述主動電路區域之外。

根據本發明實施例，所述至少一虛設圖案不被轉印到一晶片上。

根據本發明實施例，所述至少一虛設圖案包括形成在一鉻層中的一孔洞圖案。

根據本發明實施例，所述至少一虛設圖案的尺寸與所述目標圖案的尺寸不同。

根據本發明實施例，所述至少一虛設圖案的尺寸小于所述目標圖案的尺寸。

根據本發明實施例，所述基板是石英基板。

附圖說明

圖1是本發明實施例所繪示的一種光掩模結構上視示意圖；

圖2是沿著圖1中切線I-I’所示的剖面示意圖；

圖3是光掩模溫度變化、透鏡溫度變化和透射率(RT％)的關系圖。

主要元件符號說明

1 光掩模結構

100 基板

100a 正面

100b 背面

110 鉻層

A、B 尺寸

C、D 距離

CD 目標尺寸

AC 主動(有源)電路區域

DP 虛設圖案區

DPP、DPP-1、DPP-2、DPP-3 虛設圖案

TCP 目標圖案

具體實施方式

在下文中，將參照附圖說明細節，該些附圖中的內容也構成說明書細節描述的一部分，并且以可實行該實施例的特例描述方式來繪示。下文實施例已描述足夠的細節使該領域的一般技術人士得以具以實施。

當然，也可采行其他的實施例，或是在不悖離文中所述實施例的前提下作出任何結構性、邏輯性、及電性上的改變。因此，下文的細節描述不應被視為是限制，反之，其中所包含的實施例將由隨附的權利要求來加以界定。