[發明專利]光掩模結構在審
| 申請號: | 202110584768.8 | 申請日: | 2021-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN113608406A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發明(設計)人: | 何熊武;徐偉國;白源吉;談文毅 | 申請(專利權)人: | 聯芯集成電路制造(廈門)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 361100 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 結構 | ||
1.一種光掩模結構,包括:
基板;
主動電路區域,位于所述基板上;
至少一個目標圖案,位于所述主動電路區域內;以及
至少一虛設圖案分布在所述基板上,以將所述光掩模結構的透射率保持在預定范圍內。
2.根據權利要求1所述的光掩模結構,其中,所述預定范圍在之間。
3.根據權利要求1所述的光掩模結構,其中,所述至少一虛設圖案配置在所述主動電路區域之外。
4.根據權利要求1所述的光掩模結構,其中,所述至少一虛設圖案不被轉印到晶片上。
5.根據權利要求1所述的光掩模結構,其中,所述至少一虛設圖案包括形成在鉻層中的孔洞圖案。
6.根據權利要求1所述的光掩模結構,其中,所述至少一虛設圖案的尺寸與所述目標圖案的尺寸不同。
7.根據權利要求1所述的光掩模結構,其中,所述至少一虛設圖案的尺寸小于所述目標圖案的尺寸。
8.根據權利要求1所述的光掩模結構,其中,所述基板是石英基板。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





