[發明專利]電阻體糊及其用途以及電阻體的制造方法有效
| 申請號： | 202110583299.8 | 申請日： | 2021-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN113314284B | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 林耀廣;小林廣治;川口曉廣 | 申請（專利權）人： | 三之星機帶株式會社 |
| 主分類號： | H01C7/00 | 分類號： | H01C7/00;H01B1/22;H01B1/16;H01C17/065;H01C17/30 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 滿鳳;金龍河 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 及其 用途 以及 制造 方法 | ||
1.一種電阻體糊，其為包含無機成分和有機載體的電阻體糊，其中，
所述無機成分包含金屬成分、低熔點玻璃和高熔點玻璃，
所述金屬成分包含銅和鎳，
在所述無機成分中，所述低熔點玻璃的比例為3～25體積％，所述高熔點玻璃的比例為3～80體積％，
所述高熔點玻璃的軟化點Ths為600℃以上，并且比所述低熔點玻璃的軟化點Tls高100℃以上。
2.如權利要求1所述的電阻體糊，其中，所述低熔點玻璃的軟化點Tls為350～750℃，所述高熔點玻璃的軟化點Ths為650～1150℃。
3.如權利要求1所述的電阻體糊，其中，所述高熔點玻璃的玻璃化轉變溫度Thg為600～900℃。
4.如權利要求2所述的電阻體糊，其中，所述高熔點玻璃的玻璃化轉變溫度Thg為600～900℃。
5.如權利要求1～4中任一項所述的電阻體糊，其中，所述金屬成分是中值粒徑D50為0.05～15μm的金屬粒子，所述低熔點玻璃是中值粒徑D50為1～5μm的低熔點玻璃粒子，所述高熔點玻璃是中值粒徑D50為1～8μm的高熔點玻璃粒子。
6.一種制造電阻體的方法，其中，對權利要求1～5中任一項所述的電阻體糊進行燒成來制造電阻體。
7.如權利要求6所述的方法，其中，燒成溫度Tf比低熔點玻璃的軟化點Tls高150℃以上。
8.如權利要求6或7所述的方法，其中，所述燒成溫度Tf比高熔點玻璃的玻璃化轉變溫度Thg高，并且為高熔點玻璃的軟化點Ths+100℃以下。
9.一種電阻體，其為包含無機成分且體積電阻率為100μΩ·cm以上的電阻體，其中，
所述無機成分包含金屬成分、低熔點玻璃和高熔點玻璃，
所述金屬成分包含銅和鎳，
在所述無機成分中，所述低熔點玻璃的比例為3～25體積％，所述高熔點玻璃的比例為3～80體積％，
所述高熔點玻璃的軟化點Ths為600℃以上，并且比所述低熔點玻璃的軟化點Tls高100℃以上。
10.如權利要求9所述的電阻體，其中，體積電阻率為10000μΩ·cm以下。
11.一種調節電阻體的體積電阻率的方法，所述電阻體通過對權利要求1～5中任一項所述的電阻體糊進行燒成而得到，所述方法中，通過調節金屬成分與高熔點玻璃的比例，將所述體積電阻率調節至100～10000μΩ·cm的范圍。
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