[發(fā)明專利]電阻體糊及其用途以及電阻體的制造方法

有效

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• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113314284B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設計）人: 林耀廣;小林廣治;川口曉廣
• 申請（專利權）人: 三之星機帶株式會社
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01B1/22;H01B1/16;H01C17/065;H01C17/30
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 滿鳳;金龍河

本發(fā)明涉及電阻體糊及其用途以及電阻體的制造方法。本發(fā)明制備包含無機成分和有機載體的電阻體糊。所述無機成分包含金屬成分、低熔點玻璃和高熔點玻璃。所述金屬成分包含銅和鎳。所述高熔點玻璃的軟化點Ths為600℃以上，并且比所述低熔點玻璃的軟化點Tls高100℃以上。所述低熔點玻璃的軟化點Tls可以為350～750℃。所述高熔點玻璃的軟化點Ths可以為650～1150℃。所述高熔點玻璃的玻璃化轉變溫度Thg可以為600～900℃。所述無機成分中，所述低熔點玻璃的比例可以為3～25體積％，所述高熔點玻璃的比例可以為3～80體積％。

技術領域

本發(fā)明涉及以銅和鎳作為導電成分的電阻體糊及其用途以及電阻體的制造方法。

背景技術

作為用于形成在各種電子設備的電子電路或電源電路中使用的電阻器的電阻體的電阻體糊，已知以銅(Cu)·鎳(Ni)系金屬作為導電成分的電阻體糊。

日本特開平9-275002號公報(專利文獻1)中公開了一種片式電阻器，其具有絕緣基板、形成在該絕緣基板的至少單面上的由銅/鎳合金構成的電阻層、和以連接所述電阻層的方式設置在所述絕緣基板的對置的一對兩端部的端面電極，其中，電阻層由合金層構成，該合金層是在銅/鎳合金粉上印刷由銅粉、玻璃料和有機載體成分構成的厚膜電阻體糊并燒成而形成的。該文獻中記載了，玻璃料成分相對于金屬成分以重量比計為0.5～10％。并且記載了，其目的在于提供1Ω以下、特別是100mΩ以下的低電阻的厚膜電阻體，在實施例中，使用硼硅酸鉛玻璃、硼硅酸鋅玻璃作為玻璃料，制造具有20～50mΩ的電阻值的電阻體。

日本特開2010-129896號公報(專利文獻2)中公開了一種電阻體糊，其是至少含有由銅粉體和鎳粉體構成的導電性金屬粉體、玻璃粉體、包含樹脂和溶劑的載體的糊，所述玻璃粉體由以氧化物換算計含有70質量％以上的鉍的第一玻璃粉體、以及實質上不含鉛和鎘的第二玻璃粉體構成。該文獻中記載了，相對于導電性金屬粉體100質量份，第一玻璃粉體的配合量優(yōu)選為0.5～10質量份的范圍，在實施例中，配合了2～5質量份。并且記載了，相對于導電性金屬粉體100質量份，第二玻璃粉體的配合量優(yōu)選為2～10質量份的范圍，在實施例中，作為第二玻璃粉體，配合了1～10質量份的硼硅酸鉛玻璃或硼硅酸玻璃。此外還記載了，對上述電阻體糊進行燒成而得到的電阻體膜的體積電阻率為20～200μΩ·cm，在實施例中，制造了37～126μΩ·cm的電阻體膜。

日本特開2015-046567號公報(專利文獻3)中公開了一種電阻率200μΩ·cm以上的電阻體糊，其通過在以銅、鎳作為導電成分的電阻體糊中配合氧化鋁粉、二氧化硅粉、氧化鈦粉等在燒成溫度下不熔融的非導電性無機粒子作為電阻值調節(jié)成分而得到。該方法通過調節(jié)在燒成條件下不熔融的非導電性無機粒子的配合量，能夠在寬范圍內調節(jié)電阻率。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平9-275002號公報

專利文獻2：日本特開2010-129896號公報

專利文獻3：日本特開2015-046567號公報

發(fā)明內容

發(fā)明所要解決的問題

但是，由專利文獻1和2的電阻體糊形成的電阻體膜的電阻值低，無法在200μΩ·cm以上的低/中電阻用途中使用。

另外，專利文獻3中，非導電性無機粒子雖能使電阻體的電阻值升高，但由于非導電性無機粒子本身在燒成中不會軟化、熔融、燒結，因此在通過燒成而形成的電阻體膜的內部產生空隙、孔，形成多孔結構。并且，對于多孔結構的電阻體膜，在高溫、高濕、氧化性氣氛的環(huán)境下，氧、濕氣等侵入至電阻體膜內部，由于氧化、腐蝕而使電阻值發(fā)生變化。其結果，在電阻體膜的耐熱性、耐濕性等可靠性方面要求改善。