[發(fā)明專(zhuān)利]傳送路徑校正技術(shù)和相關(guān)系統(tǒng)、方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110582849.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113658883B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D.潘;D.C.達(dá)羅;R.B.洛倫斯;A.S-K.柯 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 科迪華公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683;H10K71/13 |
| 代理公司: | 北京坦路來(lái)專(zhuān)利代理有限公司 11652 | 代理人: | 索翌 |
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1.一種用于沉積機(jī)器的傳送系統(tǒng),所述傳送系統(tǒng)包含:
沿第一方向延伸的軌道;
第一部件,其聯(lián)接到軌道上以在第一方向上移動(dòng);
第二部件,其聯(lián)接第一部件,以沿第一方向傳送物體;和
至少一個(gè)換能器,其聯(lián)接在第一部件和第二部件之間,以在與第一方向垂直的線性的第二方向上移動(dòng)第二部件,從而校正第二部件的位置誤差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳送系統(tǒng),其中,所述第二部件包含真空吸盤(pán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳送系統(tǒng),其中,所述換能器是音圈,線性馬達(dá)或壓電換能器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳送系統(tǒng),其中,所述至少一個(gè)換能器包含在第一位置處聯(lián)接在所述第一部件和所述第二部件之間的第一換能器,和在第二位置處聯(lián)接在所述第一部件和第二部件之間的第二換能器,每個(gè)換能器設(shè)置成在線性的第二方向上移動(dòng)第二部件,并且還包含:位置檢測(cè)器,其用于檢測(cè)基底的位置誤差;以及控制器,其可操作地聯(lián)接位置檢測(cè)器和換能器,所述控制器被設(shè)置為根據(jù)位置誤差來(lái)操作換能器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的傳送系統(tǒng),其中,每個(gè)換能器是音圈,而且還包含浮動(dòng)樞轉(zhuǎn)組件,所述浮動(dòng)樞轉(zhuǎn)組件在所述第一位置和所述第二位置之間,將所述第一部件聯(lián)接到所述第二部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳送系統(tǒng),其中,所述控制器基于由所述位置檢測(cè)器檢測(cè)到的平移誤差和旋轉(zhuǎn)誤差,來(lái)操作所述第一換能器和第二換能器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳送系統(tǒng),其中,所述位置檢測(cè)器包含光束源和光學(xué)檢測(cè)器,其中,所述光束源和所述光學(xué)檢測(cè)器之一聯(lián)接所述第二部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳送系統(tǒng),其中,所述第二部件包含真空吸盤(pán),所述真空吸盤(pán)選擇性地與基底接合,所述至少一個(gè)換能器包含第一換能器,所述第一換能器在第一位置處聯(lián)接在所述第一部件和所述第二部件之間,在第一位置在線性的第二方向上移動(dòng)所述第二部件,和第二換能器,所述第二換能器在第二位置處聯(lián)接在第一部件和第二部件之間,在第二位置在線性的第二方向上移動(dòng)第二部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的傳送系統(tǒng),還包含浮動(dòng)樞轉(zhuǎn)組件,所述浮動(dòng)樞轉(zhuǎn)組件在所述第一位置和所述第二位置之間,將所述第一部件聯(lián)接到所述第二部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的傳送系統(tǒng),還包含激光干涉測(cè)量系統(tǒng),其聯(lián)接所述第二部件,和控制器,其被設(shè)置為從所述激光干涉測(cè)量系統(tǒng)接收信號(hào),并基于所述信號(hào)來(lái)操作所述第一換能器和所述第二換能器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳送系統(tǒng),其中,所述控制器操作所述第一換能器和第二換能器,從而校正所述基底的平移和旋轉(zhuǎn)誤差。
12.一種電子產(chǎn)品制造設(shè)備,包含:
沉積源,以在基底上沉積材料;
浮動(dòng)臺(tái),用于當(dāng)材料沉積在其上時(shí),將基底支撐在流體墊上;和
基底傳送系統(tǒng),包含:
第一部件,根據(jù)電子刺激沿著基底傳送軌道行進(jìn),該基底傳送軌道在第一方向上延伸;
第二部件,其選擇性地接合基底,以在第一方向上傳送基底;和
至少一個(gè)基底傳送換能器,其聯(lián)接第一部件和第二部件,所述至少一個(gè)基底傳送換能器使第二部件在與第一方向垂直的線性的第二方向上位移,
其中,當(dāng)?shù)诙考刂谝环较蛐羞M(jìn)時(shí),至少一個(gè)基底傳送換能器在線性的第二方向上調(diào)節(jié)第二部件的位置。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子產(chǎn)品制造設(shè)備,其中,所述沉積源包含打印頭組件,所述打印頭組件包含具有噴嘴的打印頭,所述噴嘴用于將所述材料液滴噴射到所述基底上,所述材料包含膜形成材料。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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