[發(fā)明專利]一種芯片封裝的焊接方法及芯片封裝方法

有效

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• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113410148B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉麗娟;楊元杰;楊天應(yīng)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;顏希文

本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種芯片封裝的焊接方法及芯片封裝方法，所述焊接方法包括：使管殼基板升溫到第一溫度，所述第一溫度低于管殼基板上表面放置的焊料片的熔點，所述焊料片放置于管殼基板上的第一框架內(nèi)；將待焊接件放到焊料片上并使管殼基板的溫度升溫到第二溫度，將待焊接件以預(yù)設(shè)的第一壓力沿第一方向往復(fù)移動第一距離并使待焊接件達(dá)到預(yù)設(shè)的第一高度；將管殼基板降溫到第三溫度，所述待焊接件焊接到管殼基板上，其中，所述第三溫度低于焊料片的熔點。有益效果：改進(jìn)芯片封裝過程中的溫度控制方法，以及待焊接件和焊料片的焊接方法，減少芯片焊接過程中待焊接件與基板之間的空洞，提高了產(chǎn)品可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片封裝的焊接方法及芯片封裝方法。

背景技術(shù)

目前，氮化鎵高電子遷移率晶體管射頻功率放大器芯片，硅基高壓功率集成射頻放大器芯片工作時產(chǎn)生大量的熱，在封裝該類芯片時首選導(dǎo)熱性好的封裝工藝。金錫焊工藝采用熔化的金錫焊料將芯片與封裝金屬基體焊接在一起，該工藝焊接強度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性能優(yōu)異，被廣泛用于氮化鎵高電子遷移率晶體管射頻功率放大器芯片，硅基高壓功率集成射頻放大器芯片的封裝。

現(xiàn)有技術(shù)中，采用金錫焊工藝進(jìn)行芯片封裝的作業(yè)流程是：清洗物料上的異物——焊接芯片——芯片焊線——封裝。但是由于焊料焊接的作業(yè)溫度較高，加之焊接作業(yè)過程中影響因素眾多，在芯片焊接貼片過程中容易出現(xiàn)芯片底部與基板之間空洞較多的情況，降低了產(chǎn)品的可靠性。

因此需要對現(xiàn)有的芯片封裝過程中的芯片焊接方法進(jìn)行改進(jìn)，提高產(chǎn)品的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是：提供一種芯片封裝的焊接方法及芯片封裝方法，減少芯片焊接過程中芯片與基板之間的空洞，提高產(chǎn)品可靠性。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種芯片封裝的焊接方法，包括：

使管殼基板升溫到第一溫度，所述第一溫度低于管殼基板上表面放置的焊料片的熔點，所述焊料片放置于管殼基板上的第一框架內(nèi)。

將待焊接件放到焊料片上并使管殼基板的溫度升溫到第二溫度，所述第二溫度高于焊料片的熔點。

將待焊接件以預(yù)設(shè)的第一壓力沿第一方向往復(fù)移動第一距離并使待焊接件達(dá)到預(yù)設(shè)的第一高度；其中，所述第一高度為待焊接件到管殼基板上表面的第二距離。

將管殼基板降溫到第三溫度，所述待焊接件焊接到管殼基板上，其中，所述第三溫度低于焊料片的熔點。

進(jìn)一步的，所述將待焊接件以預(yù)設(shè)的第一壓力沿第一方向往復(fù)移動第一距離，具體為：

根據(jù)所述待焊接件到管殼側(cè)壁的距離確定移動的第一方向，當(dāng)待焊接件到管殼左右側(cè)壁的距離滿足預(yù)設(shè)的距離要求時，待焊接件沿管殼左或右側(cè)壁的第一法線左右移動且將第一法線記為X軸；當(dāng)待焊接件到管殼前后側(cè)壁的距離滿足預(yù)設(shè)的距離要求時，待焊接件沿管殼前或后側(cè)壁的第二法線前后移動且將第二法線記為Y軸。

當(dāng)待焊接件沿X軸移動時，所述第一距離為待焊接件在X軸上的長度的百分之四到百分之六。

當(dāng)待焊接件沿Y軸移動時，所述第一距離為待焊接件在Y軸上的長度的百分之四到百分之六。

進(jìn)一步的，所述使管殼基板的溫度為升溫到第二溫度，具體為：

將管殼的溫度以第一升溫速率調(diào)整到第二溫度，且在第二溫度保持第一時間。

進(jìn)一步的，所述第一壓力的取值范圍為零點五牛到零點七牛。

進(jìn)一步的，所述第二距離為焊料片厚度的百分之十到百分之三十。

本發(fā)明還公開了一種芯片封裝方法，包括：

所述待焊接件包括芯片，應(yīng)用上述的焊接方法進(jìn)行芯片與管殼基板的焊接。