[發(fā)明專(zhuān)利]一種芯片封裝的焊接方法及芯片封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110582374.9 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113410148B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉麗娟;楊元杰;楊天應(yīng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市時(shí)代速信科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/603 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/603 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郭浩輝;顏希文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 封裝 焊接 方法 | ||
1.一種芯片封裝的焊接方法,其特征在于,包括:
使管殼基板升溫到第一溫度,所述第一溫度低于管殼基板上表面放置的焊料片的熔點(diǎn),所述焊料片放置于管殼基板上的第一框架內(nèi);
將待焊接件放到焊料片上并使管殼基板的溫度升溫到第二溫度,所述第二溫度高于焊料片的熔點(diǎn);
將待焊接件以預(yù)設(shè)的第一壓力沿第一方向往復(fù)移動(dòng)第一距離并使待焊接件達(dá)到預(yù)設(shè)的第一高度;其中,所述第一高度為待焊接件到管殼基板上表面的第二距離;
將管殼基板降溫到第三溫度,所述待焊接件焊接到管殼基板上,其中,所述第三溫度低于焊料片的熔點(diǎn);
所述將待焊接件以預(yù)設(shè)的第一壓力沿第一方向往復(fù)移動(dòng)第一距離,具體為:
根據(jù)所述待焊接件到管殼側(cè)壁的距離確定移動(dòng)的第一方向,當(dāng)待焊接件到管殼左右側(cè)壁的距離滿足預(yù)設(shè)的距離要求時(shí),待焊接件沿管殼左或右側(cè)壁的第一法線左右移動(dòng)且將第一法線記為X軸;當(dāng)待焊接件到管殼前后側(cè)壁的距離滿足預(yù)設(shè)的距離要求時(shí),待焊接件沿管殼前或后側(cè)壁的第二法線前后移動(dòng)且將第二法線記為Y軸;
當(dāng)待焊接件沿X軸移動(dòng)時(shí),所述第一距離為待焊接件在X軸上的長(zhǎng)度的百分之四到百分之六;
當(dāng)待焊接件沿Y軸移動(dòng)時(shí),所述第一距離為待焊接件在Y軸上的長(zhǎng)度的百分之四到百分之六。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片封裝的焊接方法,其特征在于,所述使管殼基板的溫度升溫到第二溫度,具體為:
將管殼的溫度以第一升溫速率調(diào)整到第二溫度,且在第二溫度保持第一時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1到2任一所述的一種芯片封裝的焊接方法,其特征在于,所述第一壓力的取值范圍為零點(diǎn)五牛到零點(diǎn)七牛。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到2任一所述的一種芯片封裝的焊接方法,其特征在于,所述第二距離為焊料片厚度的百分之十到百分之三十。
5.一種芯片封裝方法,其特征在于,包括:
所述待焊接件包括芯片,應(yīng)用權(quán)利要求1-4任一所述的焊接方法進(jìn)行芯片與管殼基板的焊接;將匹配元件與管殼基板焊接;
將芯片和管殼第一引腳連接,將芯片和匹配元件連接,將匹配元件與管殼第二引腳連接;
將管殼蓋封閉到第一框架上,完成芯片的封裝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種芯片封裝方法,其特征在于,所述待焊接件包括匹配元件,應(yīng)用權(quán)利要求1-4任一所述的焊接方法進(jìn)行匹配元件與管殼基板的焊接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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