[發明專利]一種用化學鍍方法制備的導電布及其制備方法在審
| 申請號: | 202110582286.9 | 申請日: | 2021-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN113355662A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發明(設計)人: | 吳中和;吳慶鋒;盧正兵 | 申請(專利權)人: | 益陽市菲美特新材料有限公司 |
| 主分類號: | C23C18/36 | 分類號: | C23C18/36;C23C18/30;C23C18/24;C23C28/02;C25D3/12;C25D5/54;D06M11/83;D06M101/32;D06M101/38 |
| 代理公司: | 長沙明新專利代理事務所(普通合伙) 43222 | 代理人: | 徐新 |
| 地址: | 413000 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 化學 方法 制備 導電 及其 | ||
1.一種用化學鍍方法制備的導電布,其特征在于:電阻≤1.5Ω、屏蔽效能≥65db、耐蝕性能≥72h、附著力1-2級。
2.一種如權利要求1所述的導電布的制備方法,其特征在于,其工藝路線為:將基布用化學鍍方法沉積一層金屬鎳,再將沉積了金屬鎳的基布電鍍鎳,電鍍結束后,水洗,烘干。
3.根據權利要求2所述的導電布的制備方法,其特征在于,所述基布包括聚氨酯、滌綸或PET基布,將基布裁切至鍍膜設備所需的寬度,該寬度范圍是500-1500mm,該基布的厚度為0.005-0.5mm,該基布的密度范圍為80-500目或120T-500T。
4.根據權利要求2所述的導電布的制備方法,其特征在于,所述基布用化學鍍方法沉積一層金屬鎳是指將基布經粗化、清洗、敏化、活化、化學鍍鎳,使其沉積一層金屬鎳。
5.根據權利要求4所述的導電布的制備方法,其特征在于,所述粗化是指將基布在高錳酸鉀濃度為0.4-1.0g/L、pH為2-3、溫度為25-35℃的溶液中經過對輥機擠壓后再在溶液中浸泡1-4分鐘。
6.根據權利要求4所述的導電布的制備方法,其特征在于,所述清洗是指將粗化后的基布在草酸濃度10-20g/L、溫度為40-50℃的溶液中經過對輥機擠壓后再在溶液中浸泡1-3分鐘。
7.根據權利要求4所述的導電布的制備方法,其特征在于,所述敏化是指將清洗后的基布在氯化亞錫濃度為10-20g/L、pH為1.5-2.0、溫度為40-50℃的溶液中經過對輥機擠壓后再在溶液中浸泡1-4分鐘。
8.根據權利要求4所述的導電布的制備方法,其特征在于,所述活化是指將敏化后的基布在氯化鈀濃度為20-30g/L、pH為1.6-2.2、溫度為40-50℃的溶液中經過對輥機擠壓后再在溶液中浸泡1-4分鐘。
9.根據權利要求4所述的導電布的制備方法,其特征在于,所述化學鍍鎳是指將活化后的基布在硫酸鎳濃度為20-30g/L、次磷酸鈉濃度為22-30g/L、氯化銨濃度為25-35g/L、檸檬酸鈉濃度為55-65g/L、pH為8-9、溫度為35-50℃的溶液中反應2-3分鐘。
10.根據權利要求2所述的導電布的制備方法,其特征在于,所述電鍍鎳是指將上述經過化學鍍鎳的半成品置于電鍍鎳槽,進行電鍍鎳工序,該電鍍鎳工序包括以下兩種工藝方法:
(1)采用氨基磺酸鎳溶液體系,該體系的技術參數包括:氨基磺酸鎳濃度為200-600g/L、氯化鎳濃度為0-50g/L、硼酸濃度為10-60g/L、pH為3-6、溫度為30-70℃、電流為50-500A;
(2)采用硫酸鎳溶液體系,該體系的技術參數包括:硫酸鎳濃度為100-400g/L、氯化鎳濃度為10-70g/L、硼酸濃度為10-60g/L、pH為3-6、溫度為30-70℃、電流為50-500A。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





