[發明專利]一種二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器及其制備方法在審
| 申請號： | 202110580063.9 | 申請日： | 2021-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN113299779A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 王東博;劉東昊;張冰珂;胡云飛;王金忠;矯淑杰 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;H01L31/102;H01L31/18 |
| 代理公司： | 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206 | 代理人： | 李智慧 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 二硫化鉬 硫化 紅外 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器，其特征在于所述探測器包括藍寶石襯底、MoS2層、WS2層和金電極，藍寶石襯底上生長MoS2層，MoS2層上生長WS2層，金電極設置在MoS2層和WS2層上。
2.根據權利要求1所述的二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器，其特征在于所述藍寶石襯底的厚度為2μm。
3.根據權利要求1所述的二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器，其特征在于所述MoS2層和WS2層的厚度均為9~10單原子層。
4.根據權利要求1所述的二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器，其特征在于所述金電極分為頂電極和底電極，頂電極設置在WS2層上，底電極設置在MoS2層上。
5.根據權利要求1所述的二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器，其特征在于所述頂電極和底電極連線垂直于WS2層和MoS2層交界面，電極之間間距為2mm，頂電極距交界面1mm，底電極距交界面1mm。
6.根據權利要求1所述的二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器，其特征在于所述金電極的厚度為50μm。
7.一種權利要求1-6任一項所述二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器的制備方法，其特征在于所述方法包括如下步驟：
步驟一、利用磁控濺射技術在藍寶石襯底上生長MoS2層；
步驟二、利用CVD技術在MoS2層上生長WS2層；
步驟三、利用磁控濺射技術在MoS2層和WS2層表面蒸鍍金電極。
8.根據權利要去7所述的二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器的制備方法，其特征在于所述步驟一中，磁控濺射的功率為100~300W，壓強為1.0~3.0 Pa，氬氣流量為40~45sccm，濺射時間為5~10 min。
9.根據權利要去7所述的二硫化鉬/二硫化鎢紅外雙色探測器的制備方法，其特征在于所述步驟三中，控制磁控濺射的功率為30~50W，壓強為0.5~1.0 Pa，氬氣流量為20~40sccm，濺射時間為1~2 min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
