[發(fā)明專利]一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110579657.8 | 申請日： | 2021-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN113372123A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曾探;王志強(qiáng);盛明亮;石煜;曾墩風(fēng);陶成 | 申請（專利權(quán)）人： | 蕪湖映日科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/64 | 分類號： | C04B35/64;C04B35/457;C23C14/35;F27B17/00;F27D7/06 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 楊靜 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市中國（安徽）自*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 ito 平面 利用率 方法 | ||
1.一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，其特征在于：首先，將氧化錫粉先放置到能承受1800°C的高溫容器中，并將其放置到氧氣氣氛常壓爐內(nèi)煅燒，得到氧化錫粉末；之后，將純度大于95%的氧化鋁墊片間隔平鋪在承燒板上；最后，將氧化錫粉末通過不銹鋼篩格進(jìn)行均勻?yàn)⒙湓谘趸X墊片上，并將ITO平面靶材進(jìn)行放置后墊燒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，其特征在于：氧氣氣氛常壓爐內(nèi)的煅燒溫度為1600-1650度并且由常溫升至最高溫度，升溫的時間為20-25h，保溫的時間為5-10h，且得到氧化錫粉末的D50控制在70-100μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，其特征在于：氧化鋁墊片的尺寸大小和厚度一致，公差±0.1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，其特征在于：不銹鋼篩格采用的規(guī)格為120目。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，其特征在于：將墊燒完成后的ITO平面靶材進(jìn)行冷卻后檢測，并對檢測合格的ITO平面靶材進(jìn)行包裝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，其特征在于：氧化錫粉末采用少量薄層的方式灑落在氧化鋁墊片上。
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