[發(fā)明專利]一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法

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• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113372123A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾探;王志強(qiáng);盛明亮;石煜;曾墩風(fēng);陶成
• 申請（專利權(quán)）人: 蕪湖映日科技股份有限公司
• 主分類號: C04B35/64
• 分類號: C04B35/64;C04B35/457;C23C14/35;F27B17/00;F27D7/06
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 楊靜

本發(fā)明提供一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，先將氧化錫粉先放置到能承受1800°C的高溫容器中，并將其放置到氧氣氣氛常壓爐內(nèi)煅燒，得到氧化錫粉；之后將氧化鋁墊片間隔平鋪在承燒板上；最后將氧化錫粉通過不銹鋼篩格進(jìn)行均勻?yàn)⒙湓谘趸X墊片上，并將ITO平面靶材進(jìn)行放置后墊燒；采用第一次煅燒和第二次墊燒的方式來對ITO平面靶材進(jìn)行生產(chǎn)，使其不與氧化錫粉容易產(chǎn)生反應(yīng)；并且使用氧化錫粉末和純度大于95%的氧化鋁墊片，從而提高了生產(chǎn)的質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及ITO平面靶材生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法。

背景技術(shù)

ITO平面靶材屬于銦錫復(fù)合氧化物陶瓷，是一種重要的光電功能材料，常作為磁控濺射靶材在玻璃、塑料等基板材料上制備透明導(dǎo)電膜，用于生產(chǎn)液晶顯示器、觸摸屏等平板顯示設(shè)備。

中國專利文獻(xiàn)CN108530055A，公開了一種高效透氧的ITO靶材擺放-燒結(jié)方法，采用承燒板、莫來石墊片、瓷球和ITO平面靶坯的結(jié)構(gòu)進(jìn)行生產(chǎn)；這種生產(chǎn)方式容易造成靶材承燒面，因高溫?zé)Y(jié)，靶材軟化，瓷球嵌入靶材，造成大面積凹坑，從而增加了靶材的磨削量，大大的提高了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述問題，本發(fā)明提供一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，先將氧化錫粉先放置到能承受1800°C的高溫容器中，并將其放置到氧氣氣氛常壓爐內(nèi)煅燒，得到氧化錫粉；之后將氧化鋁墊片間隔平鋪在承燒板上；最后將氧化錫粉通過不銹鋼篩格進(jìn)行均勻?yàn)⒙湓谘趸X墊片上，并將ITO平面靶材進(jìn)行放置后墊燒；采用第一次煅燒和第二次墊燒的方式來對ITO平面靶材進(jìn)行生產(chǎn)，使其不與氧化錫粉容易產(chǎn)生反應(yīng)；并且使用氧化錫粉末和純度大于95%的氧化鋁墊片，從而提高了生產(chǎn)的質(zhì)量。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，首先，將氧化錫粉先放置到能承受1800°C的高溫容器中，并將其放置到氧氣氣氛常壓爐內(nèi)煅燒，得到氧化錫粉末；之后，將純度大于95%的氧化鋁墊片間隔平鋪在承燒板上；最后，將氧化錫粉末通過不銹鋼篩格進(jìn)行均勻?yàn)⒙湓谘趸X墊片上，并將ITO平面靶材進(jìn)行放置后墊燒。

進(jìn)一步改進(jìn)在于：氧氣氣氛常壓爐內(nèi)的煅燒溫度為1600-1650度并且由常溫升至最高溫度，升溫的時間為20-25h，保溫的時間為5-10h，且得到氧化錫粉末的D50控制在70-100μm。

進(jìn)一步改進(jìn)在于：氧化鋁墊片的尺寸大小和厚度一致，公差±0.1mm。

進(jìn)一步改進(jìn)在于：不銹鋼篩格采用的規(guī)格為120目。

進(jìn)一步改進(jìn)在于：將墊燒完成后的ITO平面靶材進(jìn)行冷卻后檢測，并對檢測合格的ITO平面靶材進(jìn)行包裝。

進(jìn)一步改進(jìn)在于：氧化錫粉末采用少量薄層的方式灑落在氧化鋁墊片上。

本發(fā)明的有益效果：通過將氧化錫粉放置到氧氣氣氛常壓爐內(nèi)煅燒，得到氧化粉末；并將純度大于95%氧化鋁墊片間隔平鋪在承燒板上，將氧化錫粉末通過不銹鋼篩格進(jìn)行均勻?yàn)⒙湓谘趸X墊片上，并將ITO平面靶材進(jìn)行放置后墊燒；采用第一次煅燒和第二次墊燒的方式來對ITO平面靶材進(jìn)行生產(chǎn)，使其不容易與氧化錫粉末產(chǎn)生反應(yīng)；并且使用氧化錫粉末和純度大于95%的氧化鋁墊片，從而提高了生產(chǎn)的質(zhì)量。

具體實(shí)施方式

為了加深對本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳述，該實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。

本實(shí)施例提供一種提高ITO平面靶材利用率的墊燒方法，包括以下步驟：

步驟一：將氧化錫粉提前放置到能承受1800°C的高溫容器中，并將高溫容器放置到氧氣氣氛常壓爐內(nèi)進(jìn)行煅燒，得到氧化錫粉末，煅燒溫度為1600-1650度并且由常溫升至最高溫度；

步驟二：將氧化鋁墊片間隔平鋪在承燒板上，氧化鋁墊片的純度大于95%，且尺寸大小和厚度一致，公差±0.1mm；