[發明專利]一種半導體封裝工藝有效
| 申請號: | 202110578627.5 | 申請日: | 2021-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN113314426B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發明(設計)人: | 蘇鵬德 | 申請(專利權)人: | 廣東國峰半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司: | 廣東中禾共贏知識產權代理事務所(普通合伙) 44699 | 代理人: | 王雄 |
| 地址: | 514000 廣東省梅州市梅縣區畬*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 封裝 工藝 | ||
1.一種半導體封裝工藝,其特征在于:包括以下步驟:
S1、材料準備:把晶片的正面粘在藍膜上,并將放晶片入研磨機上,打磨晶片背面,讓晶片的厚度在8mils-10mils之間;
S2、晶片切割:將步驟S1加工完成的晶片,放入晶片切割機上,讓切割刀片以切割速度:30-50Krpm將晶片切割成若干晶粒;
S3、黏晶過程:
將步驟S2中藍膜上的晶粒,通過銀漿點在導線架的墊板上,并將晶粒和墊板放入固化箱的內部;
固化箱內部的溫度應保證在170-180℃,并保溫1-1.2h;
通入氮氣固化環境;
S4、固化驗證:將步驟S3中的導線架放在驗證支架上,并啟動轉動電機,帶動支架轉動,讓轉動電機以200-300r/min的轉速轉動20-30s;
S5、焊線:利用高純度的金線把墊板和導線通過焊接的方法連接起來;
S6、封膠:將上模具移動到導線架的頂部,再將上模具底部的防溢罩縮回,并將上模具貼在導線架的頂部,啟動上模具內部設置的加熱棒,且加熱棒應保證在170-190℃,并保溫1-2h,讓上模具頂部的擠壓桿向下移動,向下移動的壓力為30-50N,使封膠膠頭內部的塑封液體擠入內腔的內部,把芯片覆蓋;
S7、電鍍:將完成構裝的導線架放入弱酸的液體中,采用不小于99.95%的高純的錫,并用無鉛電鍍,把晶須消除;
S8、拋光打磨:在把步驟S7中構裝的導線架放在打磨架上打磨引腳的頂部和底部,使導線架的厚度為1-3mm;
S9、剪切/成形:將步驟S8中的構裝導線架放在沖壓機的固定模上,向下移動沖壓機的沖模以改變引腳的形狀,向下移動的壓力為3000-4000N,并將構裝外部的晶粒分開;
S10、成品檢驗:將步驟S9中的構裝成品放在引線導通平臺上,通過萬能用表測定引腳之間的阻值。
2.根據權利要求1所述的一種半導體封裝工藝,其特征在于:所述步驟S1中晶片的原材料應放置在零下5℃的環境中,常溫下需放置時,在需要使用前應放入零下5℃回溫24h。
3.根據權利要求1所述的一種半導體封裝工藝,其特征在于:步驟S2進行晶片切割,首先進行晶圓黏片,然后再送至晶片切割機上進行切割,讓切割完后的晶粒井然有序排列于膠帶上。
4.根據權利要求1所述的一種半導體封裝工藝,其特征在于:所述步驟S4驗證完成后把導線架經由傳輸設備送至彈匣內,以送至下一個制程進行焊線。
5.根據權利要求1所述的一種半導體封裝工藝,其特征在于:所述步驟S7讓無鉛電鍍后的導線架在140-150℃高溫下烘烤2h,消除電鍍層潛在的晶須。
6.根據權利要求1所述的一種半導體封裝工藝,其特征在于:所述步驟S6目的是為了制造出所生產電路的保護層,避免電路受到機械性刮傷或者高溫破壞,最后整個集成電路的周圍會向外拉出腳架,與外界電路板連接所用,以結構方式支撐導線,防止濕氣由外部侵入。
7.根據權利要求1所述的一種半導體封裝工藝,其特征在于:所述步驟S9中剪切的目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開,并把不需要的連接材料切除,成形的目的則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀,以便于裝置于電路板上使用。
8.根據權利要求1所述的一種半導體封裝工藝,其特征在于:在所述步驟S10中測量半導體的阻值時,觀察外引腳之平整性、共面度、腳距及膠體是否有損傷以進行外觀檢驗。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





