[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202110578143.0
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113363215A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 蘇煥杰;莊正吉;張尚文;邱奕勛;王培宇;蔡慶威;王志豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

在襯底上方形成叉板結構；

在所述叉板結構附近形成電源軌接觸件；

在所述電源軌接觸件上形成隔離區，所述叉板結構從所述隔離區突出；

在所述叉板結構中生長第一源極/漏極區；

在所述第一源極/漏極區上沉積層間電介質(ILD)；以及

形成穿過所述ILD和所述隔離區的源極/漏極接觸件，所述源極/漏極接觸件連接到所述第一源極/漏極區和所述電源軌接觸件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述叉板結構包括第一納米結構、第二納米結構以及在所述第一納米結構和所述第二納米結構之間的電介質壁，所述第一源極/漏極區鄰接所述第一納米結構，所述方法還包括：

在所述叉板結構中生長第二源極/漏極區，所述第二源極/漏極區鄰接所述第二納米結構，所述電介質壁設置在所述第一源極/漏極區和所述第二源極/漏極區之間。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在所述第一納米結構周圍形成第一柵極結構；和

在所述第二納米結構周圍形成第二柵極結構，所述第二柵極結構連接到所述第一柵極結構。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一納米結構、所述第二納米結構和所述電介質壁在第一方向上具有平行的縱軸，并且所述電介質壁在第二方向上設置在所述第一源極/漏極區與所述第二源極/漏極區之間，所述第一方向垂直于所述第二方向。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述電源軌接觸件包括：

在所述叉板結構上和所述叉板結構附近沉積導電層；和

去除所述叉板結構上的所述導電層的部分，所述電源軌接觸件包括鄰近所述叉板結構的保留的所述導電層的部分。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述隔離區包括：

在所述叉板結構和所述電源軌接觸件上沉積電介質層；和

去除所述叉板結構上的所述電介質層的部分，所述隔離區包括所述電介質層的保留在電源軌上的部分。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述叉板結構包括：

形成從所述襯底延伸的第一鰭結構和第二鰭結構；

在所述第一鰭結構和所述第二鰭結構上方和所述第一鰭結構與所述第二鰭結構之間沉積電介質層；和

去除所述第一鰭結構和所述第二鰭結構上方的所述電介質層的部分以形成電介質壁，所述電介質壁包括所述電介質層的保留在所述第一鰭結構和所述第二鰭結構之間的部分。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述隔離區上形成電介質鰭，在生長所述第一源極/漏極區之后，將所述第一源極/漏極區與所述電介質鰭分離；和

在生長所述第一源極/漏極區之后，在所述電介質鰭和所述第一源極/漏極區之間沉積電介質層，所述ILD沉積在所述電介質層上。

9.一種半導體器件，包括：

電源軌接觸件；

隔離區，位于所述電源軌接觸件上；

第一電介質鰭，位于所述隔離區上；

第二電介質鰭，鄰近所述隔離區和所述電源軌接觸件；

第一源極/漏極區，位于所述第二電介質鰭上；以及

源極/漏極接觸件，位于所述第一源極/漏極區和所述第一電介質鰭之間，所述源極/漏極接觸件接觸所述第一源極/漏極區的頂表面、所述第一源極/漏極區的側表面和所述電源軌接觸件的頂表面。

10.一種半導體器件，包括：

第一互連結構，包括金屬化圖案；

第二互連結構，包括電源軌線；

器件層，位于所述第一互連結構和所述第二互連結構之間，所述器件層包括：

晶體管，包括源極/漏極區；

電源軌接觸件，連接到所述電源軌線；和

源極/漏極接觸件，連接到所述電源軌接觸件、所述源極/漏極區和所述金屬化圖案。