[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202110578143.0
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113363215A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 蘇煥杰;莊正吉;張尚文;邱奕勛;王培宇;蔡慶威;王志豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明的實施例公開了半導體器件及其形成方法。在一個實施例中，一種半導體器件包括：電源軌接觸件；位于電源軌接觸件上的隔離區；位于隔離區上的第一電介質鰭；鄰近隔離區和電源軌接觸件的第二電介質鰭；位于第二電介質鰭上的第一源極/漏極區；位于第一源極/漏極區和第一電介質鰭之間的源極/漏極接觸件，源極/漏極接觸件連接到第一源極/漏極區和電源軌接觸件。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體器件及其形成方法。

背景技術

半導體器件用于各種電子應用中，例如個人計算機、手機、數碼相機和其他電子器件。通常通過以下方式制造半導體器件：在半導體襯底上順序沉積材料的絕緣層或電介質層、導電層和半導體層，并使用光刻在各種材料層上進行圖案化以在其上形成電路組件和元件。

半導體工業通過不斷減小最小部件尺寸來不斷提高各種電子部件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許將更多的部件集成到給定區域中。但是，隨著最小部件尺寸的減小，出現了應解決的其他問題。

發明內容

根據本發明實施例的一個方面，提供了一種形成半導體器件的方法，包括：在襯底上方形成叉板結構；在叉板結構附近形成電源軌接觸件；在電源軌接觸件上形成隔離區，叉板結構從隔離區突出；在叉板結構中生長第一源極/漏極區；在第一源極/漏極區上沉積層間電介質(ILD)；以及形成穿過ILD和隔離區的源極/漏極接觸件，源極/漏極接觸件連接到第一源極/漏極區和電源軌接觸件。

根據本發明實施例的另一個方面，提供了一種半導體器件，包括：電源軌接觸件；隔離區，位于電源軌接觸件上；第一電介質鰭，位于隔離區上；第二電介質鰭，鄰近隔離區和電源軌接觸件；第一源極/漏極區，位于第二電介質鰭上；以及源極/漏極接觸件，位于第一源極/漏極區和第一電介質鰭之間，源極/漏極接觸件接觸第一源極/漏極區的頂表面、第一源極/漏極區的側表面和電源軌接觸件的頂表面。

根據本發明實施例的又一個方面，提供了一種半導體器件，包括：第一互連結構，包括金屬化圖案；第二互連結構，包括電源軌線；器件層，位于第一互連結構和第二互連結構之間，器件層包括：晶體管，包括源極/漏極區；電源軌接觸件，連接到電源軌線；和源極/漏極接觸件，連接到電源軌接觸件、源極/漏極區和金屬化圖案。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1根據一些實施例以三維視圖示出了納米結構場效應晶體管(nano-FET)的示例。

圖2至圖23C是根據一些實施例的在半導體器件的制造中的中間階段的截面圖。

圖24A至圖29C是根據一些實施例的在半導體器件的制造中的其他中間階段的各種視圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現本發明的不同特征不同的實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實施例或實例以簡化本發明。當然，這些僅是實例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可以在各個示例中重復參考數字和/或字母。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示討論的各個實施例和/或配置之間的關系。

件此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的間隔關系術語，以描述如圖中所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，間隔關系術語旨在包括器件在使用或操作工藝中的不同方位。器件可以以其它方式定位(旋轉90度或在其它方位)，并且在本文中使用的間隔關系描述符可以同樣地作相應地解釋。