[發(fā)明專利]一種具有芯片角度校正結(jié)構(gòu)的TO封裝器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110575438.2
• 申請(qǐng)日: 2021-05-26
• 公開（公告）號(hào): CN113178422A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海先積集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/16
• 分類號(hào): H01L23/16;H01L23/367;H01L23/488
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• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及一種具有芯片角度校正結(jié)構(gòu)的TO封裝器件，包括：散熱板、芯片載片區(qū)、功率芯片、管腳和若干功能引線，其中，所述散熱板上設(shè)置有所述芯片載片區(qū)；所述芯片載片區(qū)上設(shè)置有若干校正溝槽；所述功率芯片設(shè)置在所述芯片載片區(qū)上，且位于所述校正溝槽上方；所述管腳通過若干所述功能引線與所述功率芯片連接。本發(fā)明的具有芯片角度校正結(jié)構(gòu)的TO封裝器件，在芯片載片區(qū)上設(shè)置有校正溝槽，校正溝槽內(nèi)填充有焊料，并將功率芯片放置在校正溝槽所圍的位置處，利用熔融的焊料層不同區(qū)域的表面張力的大小不同，將功率芯片吸附在校正溝槽處，從而避免了功率芯片在焊接時(shí)發(fā)生功率芯片偏斜的現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于功率芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有芯片角度校正結(jié)構(gòu)的TO封裝器件。

背景技術(shù)

芯片是功率器件的主要組成部分，芯片使用過程中必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另外，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸，而且，封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮，是功率器件制備過程中的重要步驟。封裝不僅起著安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。

TO封裝(Transistor OutlinePackage)技術(shù)是一種全封閉式封裝技術(shù)，是功率器件比較常用的微電子器件封裝方式。TO封裝相對(duì)于其他的封裝技術(shù)，長(zhǎng)處在于寄生參數(shù)比較小，而且成本很低，工藝也相對(duì)來說簡(jiǎn)單，使用起來更加的靈活方便，但其管腳較少，內(nèi)部容量也很小，因此其熱環(huán)境較差。TO封裝中焊層厚度的設(shè)計(jì)需要綜合考慮熱阻、熱應(yīng)力的影響，為保障芯片的熱可靠性，會(huì)保證一定厚度的焊層材料，在芯片粘貼之后進(jìn)行焊接時(shí)，焊層材料會(huì)融化，出現(xiàn)在芯片“漂浮”在融化的焊層材料上，在焊層材料冷卻之后，芯片的粘貼位置和角度常會(huì)出現(xiàn)變化，影響到結(jié)構(gòu)的一致性，造成芯片電氣參數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)。因此如何對(duì)TO封裝中芯片粘貼角度進(jìn)行校正成為電力電子行業(yè)亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種具有芯片角度校正結(jié)構(gòu)的TO封裝器件。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明提供了一種具有芯片角度校正結(jié)構(gòu)的TO封裝器件，包括：散熱板、芯片載片區(qū)、功率芯片、管腳和若干功能引線，其中，

所述散熱板上設(shè)置有所述芯片載片區(qū)；

所述芯片載片區(qū)上設(shè)置有若干校正溝槽；

所述功率芯片設(shè)置在所述芯片載片區(qū)上，且位于所述校正溝槽上方；

所述管腳通過若干所述功能引線與所述功率芯片連接。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述校正溝槽為矩形溝槽，若干校正溝槽在所述芯片載片區(qū)內(nèi)呈水平平行排列。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述芯片載片區(qū)上至少設(shè)置有兩個(gè)所述校正溝槽，且所述功率芯片的一組對(duì)邊，分別位于兩個(gè)所述校正溝槽的中線位置處。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述功率芯片與所述芯片載片區(qū)之間涂覆有焊料層，所述校正溝槽內(nèi)填充有焊料。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述校正溝槽的長(zhǎng)邊與所述焊料層邊界之間的距離，為所述校正溝槽寬度的1/2-3/5。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述校正溝槽的寬度為與之垂直的所述功率芯片邊長(zhǎng)的2/5-1/2。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述校正溝槽的深度為所述芯片載片區(qū)厚度的1/5-2/5。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述校正溝槽的短邊與所述功率芯片邊界之間的距離，為所述校正溝槽寬度的1/2-3/5。