[發(fā)明專利]顯示裝置、顯示面板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110574208.4 | 申請日: | 2021-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN113517326A | 公開(公告)日: | 2021-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李澤亮;王彥強;高濤;丁小琪;崔國意 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本公開提供了一種顯示裝置、顯示面板及其制作方法,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該顯示面板包括驅(qū)動背板,具有像素區(qū)和透光區(qū),所述透光區(qū)內(nèi)設(shè)有多個聚光結(jié)構(gòu);發(fā)光層,設(shè)于所述驅(qū)動背板的一側(cè),且覆蓋所述像素區(qū)和所述透光區(qū),所述發(fā)光層包括多個發(fā)光器件,各所述發(fā)光器件位于所述像素區(qū)內(nèi);其中,所述聚光結(jié)構(gòu)用于使經(jīng)所述發(fā)光層進(jìn)入所述透光區(qū)的光線向所述透光區(qū)背離所述發(fā)光層的一側(cè)匯聚出射。本公開在驅(qū)動背板的透光區(qū)設(shè)置聚光結(jié)構(gòu),有助于匯聚照射在透光區(qū)的光線,擴大透光區(qū)可接受的光線的范圍,提高屏下攝像技術(shù)的成像質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示終端、顯示裝置、顯示面板及其制作方法。
背景技術(shù)
目前大部分全面屏的屏下攝像技術(shù)都是通過降低攝像區(qū)的PPI(Pixels PerInch,像素密度),增加像素與像素之間的透光面積來提升屏下攝像裝置可接受的光量。然而,該方法中,攝像裝置可接受光的范圍較小,成像效果差。
所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的目的在于提供一種顯示裝置、顯示面板及其制作方法,該顯示面板在驅(qū)動背板的透光區(qū)設(shè)置聚光結(jié)構(gòu),有助于匯聚照射在透光區(qū)的光線,擴大透光區(qū)可接受的光線的范圍,提高屏下攝像技術(shù)的成像質(zhì)量。
為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本公開采用如下技術(shù)方案:
根據(jù)本公開的第一個方面,提供一種顯示面板,包括:
驅(qū)動背板,具有像素區(qū)和透光區(qū),所述透光區(qū)內(nèi)設(shè)有多個聚光結(jié)構(gòu);
發(fā)光層,設(shè)于所述驅(qū)動背板的一側(cè),且覆蓋所述像素區(qū)和所述透光區(qū),所述發(fā)光層包括多個發(fā)光器件,各所述發(fā)光器件位于所述像素區(qū)內(nèi);
其中,所述聚光結(jié)構(gòu)用于使經(jīng)所述發(fā)光層進(jìn)入所述透光區(qū)的光線向所述透光區(qū)背離所述發(fā)光層的一側(cè)匯聚出射。
在本公開的一種示例性實施例中,所述透光區(qū)內(nèi)設(shè)有至少一層聚光層,所述聚光結(jié)構(gòu)為形成于所述聚光層上的弧面凸起。
在本公開的一種示例性實施例中,所述驅(qū)動背板包括:
襯底;
有源層,設(shè)置于所述襯底的一側(cè),且位于所述像素區(qū);
第一柵絕緣層,覆蓋所述有源層和所述襯底;
柵極層,設(shè)置于所述第一柵絕緣層背離所述襯底的一側(cè),且與所述有源層正對設(shè)置;
第二柵絕緣層,覆蓋所述柵極層和所述第一柵絕緣層;
層間介質(zhì)層,覆蓋所述第二柵絕緣層;
第一源漏層,設(shè)置于所述層間介質(zhì)層背離所述襯底的一側(cè),所述第一源漏層連接于所述有源層;
第一平坦化層,覆蓋所述第一源漏層和所述層間介質(zhì)層;
第二源漏層,設(shè)于所述第一平坦化層背離所述襯底的一側(cè),所述第二源漏層與所述第一源漏層連接;
第二平坦化層,覆蓋所述第二源漏層和所述第一平坦化層;
所述發(fā)光層設(shè)于所述第二平坦化層背離所述襯底的表面;
其中,所述第一柵絕緣層、所述第二柵絕緣層、所述層間介質(zhì)層、所述第一平坦化層和所述第二平坦化層中至少有一層膜層位于所述透光區(qū)的區(qū)域為所述聚光層。
在本公開的一種示例性實施例中,所述發(fā)光層包括:
第一電極,設(shè)于所述第二平坦化層背離所述襯底的表面;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司,未經(jīng)京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110574208.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





