[發明專利]顯示裝置、顯示面板及其制作方法在審
| 申請號: | 202110574208.4 | 申請日: | 2021-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN113517326A | 公開(公告)日: | 2021-10-19 |
| 發明(設計)人: | 李澤亮;王彥強;高濤;丁小琪;崔國意 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
驅動背板,具有像素區和透光區,所述透光區內設有多個聚光結構;
發光層,設于所述驅動背板的一側,且覆蓋所述像素區和所述透光區,所述發光層包括多個發光器件,各所述發光器件位于所述像素區內;
其中,所述聚光結構用于使經所述發光層進入所述透光區的光線向所述透光區背離所述發光層的一側匯聚出射。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述透光區內設有至少一層聚光層,所述聚光結構為形成于所述聚光層上的弧面凸起。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述驅動背板包括:
襯底;
有源層,設置于所述襯底的一側,且位于所述像素區;
第一柵絕緣層,覆蓋所述有源層和所述襯底;
柵極層,設置于所述第一柵絕緣層背離所述襯底的一側,且與所述有源層正對設置;
第二柵絕緣層,覆蓋所述柵極層和所述第一柵絕緣層;
層間介質層,覆蓋所述第二柵絕緣層;
第一源漏層,設置于所述層間介質層背離所述襯底的一側,所述第一源漏層連接于所述有源層;
第一平坦化層,覆蓋所述第一源漏層和所述層間介質層;
第二源漏層,設于所述第一平坦化層背離所述襯底的一側,所述第二源漏層與所述第一源漏層連接;
第二平坦化層,覆蓋所述第二源漏層和所述第一平坦化層;
所述發光層設于所述第二平坦化層背離所述襯底的表面;
其中,所述第一柵絕緣層、所述第二柵絕緣層、所述層間介質層、所述第一平坦化層和所述第二平坦化層中至少有一層膜層位于所述透光區的區域為所述聚光層。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述發光層包括:
第一電極,設于所述第二平坦化層背離所述襯底的表面;
像素定義層,設置于所述第二平坦化層背離所述襯底的表面,且露出所述第一電極;
發光功能層,至少覆蓋所述第一電極的背離所述襯底且被所述像素定義層露出的表面區域;
第二電極,覆蓋所述發光功能層。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述聚光層包括向背離所述襯底的方向分布的第一聚光層和第二聚光層;
所述聚光結構包括第一聚光結構和第二聚光結構;
所述第一聚光層的弧面凸起為所述第一聚光結構,所述第二聚光層的弧面凸起為第二聚光結構;
部分所述第一聚光結構在所述襯底上的正投影與所述第二聚光結構在所述襯底上的正投影不重合。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第二平坦化層位于所述透光區的區域為所述第二聚光層,所述第一平坦化層位于所述透光區的區域為所述第一聚光層,所述像素定義層的折射率<所述第二平坦化層的折射率<所述第一平坦化層的折射率。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述像素定義層的折射率為1.0-1.4,所述第二平坦化層的折射率為1.5-1.9,所述第一平坦化層的折射率為2.0-2.4。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第二平坦化層的厚度>所述第一平坦化層的厚度,所述第二聚光結構的曲率半徑≥所述第一聚光結構的曲率半徑。
9.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述聚光層還包括第三聚光層;
所述聚光結構還包括第三聚光結構,所述第三聚光層的弧面凸起為所述第三聚光結構;
所述層間介質層位于所述透光區的區域為所述第三聚光層,所述第一平坦化層的折射率<所述層間介質層的折射率。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述層間介質層的折射率≤所述第二柵絕緣層的折射率≤所述第一柵絕緣層的折射率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





