[發明專利]一種轉接板制造方法和轉接板

在審

• 申請號: 202110574088.8
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113299562A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 戴風偉;曹立強
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

1.一種轉接板制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供制作基底，所述制作基底為硅基底；

形成第一重布線層，在所述制作基底一側形成第一重布線層；

形成多個金屬柱，在所述第一重布線層背向所述制作基底一側形成多個金屬柱，所述多個金屬柱分別與所述第一重布線層中的第一金屬互聯結構電性接觸；

形成塑封層，在所述第一重布線層背向所述制作基底一側形成塑封層，所述塑封層包覆所述多個金屬柱，并暴露所述多個金屬柱背向所述第一重布線層一側的端面；

形成第二重布線層，在所述塑封層背向所述第一重布線層一側形成第二重布線層，所述多個金屬柱分別與所述第二重布線層中的第二金屬互聯結構電性接觸；

去除所述制作基底。

2.根據權利要求1所述的轉接板制造方法，其特征在于，還包括：

在所述形成第一重布線層的步驟之前，在所述制作基底一側表面形成犧牲層；所述形成第一重布線層的步驟為：在所述犧牲層背向所述制作基底一側表面形成所述第一重布線層。

3.根據權利要求2所述的轉接板制造方法，其特征在于，

所述去除所述制作基底的步驟為：

去除所述犧牲層，使所述基底與所述第一重布線層分離。

4.根據權利要求1所述的轉接板制造方法，其特征在于，

所述形成第一重布線層的步驟中包括：

形成凸塊下金屬層，在所述制作基底一側形成凸塊下金屬層。

5.根據權利要求4所述的轉接板制造方法，其特征在于，

所述形成第一重布線層的步驟中還包括：

形成第一金屬互聯結構和第一絕緣結構，所述第一金屬互聯結構與所述凸塊下金屬層電性接觸；所述第一絕緣結構包覆所述凸塊下金屬層和所述第一金屬互聯結構。

6.根據權利要求1所述的轉接板制造方法，其特征在于，

所述形成塑封層的步驟包括：

減薄所述塑封層，以使所述多個金屬柱背向所述第一重布線層一側的端面與所述塑封層背向所述第一重布線層一側的表面齊平。

7.根據權利要求1所述的轉接板制造方法，其特征在于，

所述形成第二重布線層的步驟包括：

形成第二金屬互聯結構和第二絕緣結構，在所述塑封層背向所述第一重布線層一側表面形成第二金屬互聯結構和第二絕緣結構，所述第二金屬互聯結構與所述多個金屬柱電性接觸，所述第二絕緣結構包覆所述第二金屬互聯結構。

8.根據權利要求1所述的轉接板制造方法，其特征在于，還包括：

形成焊球，在所述形成第二重布線層的步驟之后，在所述第二重布線層背向所述塑封層一側形成多個所述焊球，多個所述焊球分別與所述第二重布線層中的第二金屬互聯結構電性接觸。

9.根據權利要求4所述的轉接板制造方法，其特征在于，還包括：

形成表面保護層，在去除所述制作基底后，在所述凸塊下金屬層背向所述塑封層一側形成表面保護層，所述表面保護層與所述凸塊下金屬層電性接觸。

10.一種轉接板，其特征在于，使用如權利要求1-9中任一項所述的轉接板制造方法制造。