[發明專利]一種轉接板制造方法和轉接板

在審

• 申請號: 202110574088.8
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113299562A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 戴風偉;曹立強
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

本發明提供一種轉接板制造方法和轉接板。轉接板制造方法包括以下步驟：提供制作基底，制作基底為硅基底；形成第一重布線層，在制作基底一側形成第一重布線層；形成多個金屬柱，在第一重布線層背向制作基底一側形成多個金屬柱，多個金屬柱分別與第一重布線層中的第一金屬互聯結構電性接觸；形成塑封層，在第一重布線層背向制作基底一側形成塑封層，塑封層包覆多個金屬柱，并暴露多個金屬柱背向第一重布線層一側的端面；形成第二重布線層，在塑封層背向第一重布線層一側形成第二重布線層，多個金屬柱分別與第二重布線層中的第二金屬互聯結構電性接觸；去除制作基底。本發明的制造方法可制造具有高互聯密度的重布線層的轉接板。

技術領域

本發明涉及轉接技術領域，具體涉及一種轉接板制造方法和轉接板。

背景技術

隨著半導體工藝技術的發展，轉接板被廣泛應用于各種半導體電子裝置中。通常轉接板的制作為使用硅基基板或玻璃基板，在基板上形成通孔后在基板兩側進行布線，形成轉接板。由于玻璃基板加工工藝較難，因此使用硅基基板較多。但是硅基基板射頻和高頻性能較差，難以滿足射頻和高頻器件的應用需求。對此現有技術中提供一種使用樹脂材料作為基板材料的轉接板，但是，由于樹脂材料作為基板，兩側的重布線層難以形成高互聯密度的重布線層。因此需要一種方法，能夠提供高互連密度的重布線層。

發明內容

因此本發明提供一種轉接板制造方法和轉接板，以解決現有技術的樹脂材料基板轉接板重布線層互聯密度低的問題。

本發明提供一種轉接板制造方法，包括以下步驟：提供制作基底，制作基底為硅基底；形成第一重布線層，在制作基底一側形成第一重布線層；形成多個金屬柱，在第一重布線層背向制作基底一側形成多個金屬柱，多個金屬柱分別與第一重布線層中的第一金屬互聯結構電性接觸；形成塑封層，在第一重布線層背向制作基底一側形成塑封層，塑封層包覆多個金屬柱，并暴露多個金屬柱背向第一重布線層一側的端面；形成第二重布線層，在塑封層背向第一重布線層一側形成第二重布線層，多個金屬柱分別與第二重布線層中的第二金屬互聯結構電性接觸；去除制作基底。

可選的，本發明的轉接板制造方法還包括：在形成第一重布線層的步驟之前，在制作基底一側表面形成犧牲層；形成第一重布線層的步驟為：在犧牲層背向制作基底一側表面形成第一重布線層。

可選的，去除制作基底的步驟為：去除犧牲層，使制作基底與第一重布線層分離。

可選的，形成第一重布線層的步驟中包括：形成凸塊下金屬層，在制作基底一側形成凸塊下金屬層。

可選的，形成第一重布線層的步驟中還包括：形成第一金屬互聯結構和第一絕緣結構，第一金屬互聯結構與凸塊下金屬層電性接觸；第一絕緣結構包覆凸塊下金屬層和第一金屬互聯結構。

可選的，形成塑封層的步驟包括：減薄塑封層，以使多個金屬柱背向第一重布線層一側的端面與塑封層背向第一重布線層一側的表面齊平。

可選的，形成第二重布線層的步驟包括：形成第二金屬互聯結構和第二絕緣結構，在塑封層背向第一重布線層一側表面形成第二金屬互聯結構和第二絕緣結構，第二金屬互聯結構與多個金屬柱電性接觸，第二絕緣結構包覆第二金屬互聯結構。

可選的，本發明的轉接板制造方法還包括：形成焊球，在形成第二重布線層的步驟之后，在第二重布線層背向塑封層一側形成多個焊球，多個焊球分別與第二重布線層中的第二金屬互聯結構電性接觸。

可選的，本發明的轉接板制造方法還包括：形成表面保護層，在去除制作基底后，在凸塊下金屬層背向塑封層一側形成表面保護層，表面保護層與凸塊下金屬層電性接觸。

本發明還提供一種轉接板，使用本發明的轉接板制造方法制造。

本發明的有益效果在于：