[發(fā)明專利]晶體管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110571808.5
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113299760A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 馬可范達爾
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種晶體管包括第一柵極結構、溝道層以及源極/漏極接觸件。第一柵極結構包括納米片材。溝道層位于第一柵極結構上。溝道層的一部分包繞第一柵極結構的納米片材。源極/漏極接觸件位于納米片材旁。源極/漏極接觸件與溝道層電連接。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及一種晶體管。更具體來說，本發(fā)明實施例涉及一種具有納米片材的晶體管。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit，IC)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷快速增長。IC材料及設計的技術進展已產(chǎn)生幾代IC，其中每一代具有與前一代相比更小且更復雜的電路。在IC演進的過程中，功能密度(即每芯片區(qū)域中的內(nèi)連裝置的數(shù)目)通常已增加，同時幾何大小(即可使用制作工藝形成的最小組件或跡線)已減小。此種按比例縮小工藝通常通過提高生產(chǎn)效率及降低相關聯(lián)成本來提供益處。

發(fā)明內(nèi)容

一種晶體管包括第一柵極結構、溝道層、以及源極/漏極接觸件。所述第一柵極結構包括在垂直方向上隔開地進行堆疊的納米片材。所述溝道層位于所述第一柵極結構上。所述溝道層的一部分包繞所述第一柵極結構的所述納米片材。所述源極/漏極接觸件位于所述納米片材旁。所述源極/漏極接觸件與所述溝道層電連接。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明會最好地理解本公開的各個方面。應注意的是，根據(jù)本行業(yè)中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1是根據(jù)本公開一些實施例的集成電路的示意性剖視圖。

圖2A到圖2J是圖1中的第二晶體管的制造方法的各個階段的俯視圖。

圖3A到圖3J及圖4A到圖4J是圖2A到圖2J中的第二晶體管的制造方法的各個階段的剖視圖。

圖5A是根據(jù)本公開一些替代性實施例的第二晶體管的俯視圖。

圖5B及圖5C是圖5A中的第二晶體管的剖視圖。

圖6A是根據(jù)本公開一些替代性實施例的第二晶體管的俯視圖。

圖6B及圖6C是圖6A中的第二晶體管的剖視圖。

圖7A到圖7D是根據(jù)本公開一些替代性實施例的第二晶體管的制造方法的各個階段的俯視圖。

圖8A到圖8D及圖9A到圖9D是圖7A到圖7D中的第二晶體管的制造方法的各個階段的剖視圖。

圖10A是根據(jù)本公開一些替代性實施例的第二晶體管的俯視圖。

圖10B及圖10C是圖10A中的第二晶體管的剖視圖。

圖11A是根據(jù)本公開一些替代性實施例的第二晶體管的俯視圖。

圖11B及圖11C是圖11A中的第二晶體管的剖視圖。

附圖標號說明

20：襯底

30：內(nèi)連結構

32：導通孔

32A：導通孔

34：導電圖案

36：介電層

40：存儲單元

42：頂部電極

44：儲存層

46：底部電極

50：鈍化層

60：后鈍化層

70：導電墊

80：導電端子