[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110571662.4
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113345919B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅傳寶
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本發(fā)明提供一種顯示面板及其制作方法，該顯示面板，包括：依次層疊設(shè)置的襯底基板、吸光層和驅(qū)動電路層，該驅(qū)動電路層包括第一金屬層和有源層，該第一金屬層包括同層間隔設(shè)置的第一電極和第二電極，該有源層設(shè)置于該第一金屬層上并包括溝道區(qū)；其中，該吸光層在該襯底基板上的投影覆蓋該第一電極和該第二電極之間的間隙區(qū)域在該襯底基板上的投影。本發(fā)明公開的顯示面板及其制作方法，通過設(shè)置吸光層，能夠吸收通過第一電極和第二電極之間的間隙而直接或間接照射到溝道區(qū)上的環(huán)境光，從而使設(shè)置于第一金屬層上的溝道區(qū)被很好的保護，大大減少因外界環(huán)境光射入導致的有源層溝道區(qū)性能劣化的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)

小型發(fā)光二極管(Mini-Light?Emitting?Diode，Mini-LED)顯示面板和微型發(fā)光二極管(Micro-Light?Emitting?Diode，Micro-LED)顯示面板具有高對比度、高顯色性能等可與有機發(fā)光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode，OLED)顯示面板相媲美的特點，成為各大面板廠商布局熱點。

薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)是目前Mini-LED顯示器、Micro-LED顯示器、LCD顯示器和OLED顯示器中的主要驅(qū)動元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。薄膜晶體管具有多種結(jié)構(gòu)，制備相應結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管有源層的材料也具有多種，其中，金屬氧化物薄膜晶體管(metal?oxide?TFT)具有場效應遷移率高(≥10cm2/V·s)、制備工藝簡單、大面積沉積均勻性好、響應速度快及可見光范圍內(nèi)透過率高等特點，被認為是顯示器朝著大尺寸及柔性化方向發(fā)展的最有潛力的背板技術(shù)。

現(xiàn)有的金屬氧化物薄膜晶體管顯示面板結(jié)構(gòu)中，外界環(huán)境光能夠被金屬遮光層及柵極的反射而射入到由金屬氧化物半導體材料形成的溝道區(qū)域，造成溝道區(qū)性能的劣化，影響金屬氧化物薄膜晶體管顯示面板的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種顯示面板及其制作方法，可以解決目前的顯示面板中的溝道區(qū)因受到外界環(huán)境光照影響，導致的溝道區(qū)性能劣化的問題。

本申請實施例提供一種顯示面板，包括：依次層疊設(shè)置的襯底基板、吸光層和驅(qū)動電路層，所述驅(qū)動電路層包括第一金屬層和有源層，所述第一金屬層包括同層間隔設(shè)置的第一電極和第二電極，所述有源層設(shè)置于所述第一金屬層上并包括溝道區(qū)；

其中，所述吸光層在所述襯底基板上的垂直投影覆蓋所述第一電極和所述第二電極之間的間隙區(qū)域在所述襯底基板上的垂直投影。

可選的，所述有源層包括半導體金屬氧化物材料形成的所述溝道區(qū)，所述第一電極為源級，所述第二電極為漏極，所述漏極在所述襯底基板上的垂直投影覆蓋所述溝道區(qū)在所述襯底基板上的垂直投影。

可選的，所述吸光層包括噻吩系有機半導體材料。

可選的，所述吸光層和所述間隙區(qū)域在所述襯底基板上的垂直投影重合。

可選的，所述吸光層整面設(shè)置于所述襯底基板上。

可選的，所述驅(qū)動電路層還包括層疊設(shè)置于所述有源層上的柵極絕緣層和第二金屬層，所述第二金屬層包括柵極，所述柵極與所述溝道區(qū)對應設(shè)置；

其中，所述第二金屬層由減反射層和疊置金屬層構(gòu)成，且所述減反射層位于所述疊置金屬層和所述柵極絕緣層之間。

可選的，所述減反射層為氧化銦鋅薄膜；所述疊置金屬層為銅和鉬形成的復合金屬層。

可選的，所述有源層還包括非溝道區(qū)，所述非溝道區(qū)由半導體金屬氧化物材料導體化形成，所述第一電極和所述第二電極通過所述非溝道區(qū)與所述溝道區(qū)電性連接，所述有源層的厚度為300埃到500埃。