[發明專利]顯示面板及其制作方法

有效

• 申請號: 202110571662.4
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113345919B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 羅傳寶
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：依次層疊設置的襯底基板、吸光層和驅動電路層，所述驅動電路層包括第一金屬層和有源層，所述第一金屬層包括同層間隔設置的第一電極和第二電極，所述有源層設置于所述第一金屬層上并包括溝道區；

其中，所述吸光層在所述襯底基板上的垂直投影覆蓋所述第一電極和所述第二電極之間的間隙區域在所述襯底基板上的垂直投影；

其中，所述吸光層包括噻吩系有機半導體材料，所述噻吩系有機半導體材料為5，11-雙(三乙基硅乙炔基)鄰二噻吩；

其中，所述吸光層和所述間隙區域在所述襯底基板上的垂直投影重合；

其中，所述有源層包括一有源層過孔，所述有源層過孔在所述襯底基板上的垂直投影與所述吸光層在所述襯底基板上的垂直投影不重疊；所述顯示面板還包括設置在所述驅動電路層背離所述吸光層的一側的LED遮光層，所述LED遮光層在所述襯底基板上的垂直投影覆蓋所述有源層過孔在所述襯底基板上的垂直投影。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述有源層包括半導體金屬氧化物材料形成的所述溝道區，所述第一電極為源級，所述第二電極為漏極，所述漏極在所述襯底基板上的垂直投影覆蓋所述溝道區在所述襯底基板上的垂直投影。

3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述吸光層整面設置于所述襯底基板上。

4.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述驅動電路層還包括層疊設置于所述有源層上的柵極絕緣層和第二金屬層，所述第二金屬層包括柵極，所述柵極與所述溝道區對應設置；

其中，所述第二金屬層由減反射層和疊置金屬層構成，且所述減反射層位于所述疊置金屬層和所述柵極絕緣層之間。

5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述減反射層為氧化銦鋅薄膜；所述疊置金屬層為銅和鉬形成的復合金屬層。

6.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述有源層還包括非溝道區，所述非溝道區由半導體金屬氧化物材料導體化形成，所述第一電極和所述第二電極通過所述非溝道區與所述溝道區電性連接，所述有源層的厚度為300埃到500埃。

7.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述吸光層和所述第一金屬層之間還設置有第一緩沖層，所述第一緩沖層為氧化硅膜層。

8.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在襯底基板上形成吸光層，所述吸光層經烘烤熱固化處理；

在所述吸光層上形成驅動電路層，所述驅動電路層包括第一金屬層和有源層，所述第一金屬層包括同層間隔設置的第一電極和第二電極，所述有源層設置于所述第一金屬層上并包括溝道區；

其中，所述吸光層在所述襯底基板上的垂直投影覆蓋所述第一電極和所述第二電極之間的間隙區域在所述襯底基板上的垂直投影；

其中，所述吸光層包括噻吩系有機半導體材料，所述噻吩系有機半導體材料為5，11-雙(三乙基硅乙炔基)鄰二噻吩；

其中，所述吸光層和所述間隙區域在所述襯底基板上的垂直投影重合；

其中，所述有源層包括一有源層過孔，所述有源層過孔在所述襯底基板上的垂直投影與所述吸光層在所述襯底基板上的垂直投影不重疊；所述顯示面板還包括設置在所述驅動電路層背離所述吸光層的一側的LED遮光層，所述LED遮光層在所述襯底基板上的垂直投影覆蓋所述有源層過孔在所述襯底基板上的垂直投影。