[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110571210.6
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN114156268A
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 林東均;金永信;樸基振;宋昊柱;楊同官;尹詳皓;李奎賢;李知垠;韓昇煜;洪潤基
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L29/423;H01L21/027;H01L21/266
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳亞男;韓芳

提供了一種半導體裝置。所述半導體裝置包括：柵極結構，位于基底上；第一間隔件結構和第二間隔件結構，分別位于柵極結構的彼此相對的第一側壁和第二側壁上；以及第一源極/漏極層和第二源極/漏極層，分別位于基底的與柵極結構的第一側壁相鄰的上部和基底的與柵極結構的第二側壁相鄰的上部處。柵極結構的上表面具有參照作為基準面的基底的上表面從柵極結構的中心部分到柵極結構的第一側壁減小并且從柵極結構的中心部分到柵極結構的第二側壁基本恒定的高度。

本申請要求于2020年9月7日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0113854號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

發明構思的示例實施例涉及一種半導體裝置。更具體地，發明構思的示例實施例涉及包括源極/漏極層的晶體管。

背景技術

當在DRAM裝置的外圍電路區域中形成晶體管時，在基底上形成柵極結構，并且在基底的與柵極結構相鄰的上部處形成源極/漏極層。可以通過在基底上形成用作離子注入掩模的光致抗蝕劑圖案，然后執行離子注入工藝來形成源極/漏極層。可以通過在基底上形成光致抗蝕劑層以覆蓋柵極結構，然后對光致抗蝕劑層執行曝光工藝和顯影工藝，使得可以穿過光致抗蝕劑層形成開口以暴露柵極結構之間的區域來形成光致抗蝕劑圖案。最近，隨著柵極結構之間的距離減小，穿過光致抗蝕劑層的開口可以具有減小的尺寸，由于使用KrF激光設備的曝光工藝的分辨率限制，這可能難以形成。

發明內容

示例實施例提供了一種具有改善的特性的半導體裝置。

根據發明構思的示例實施例，提供了一種半導體裝置。該半導體裝置可以包括：柵極結構，位于基底上；第一間隔件結構和第二間隔件結構，分別位于柵極結構的彼此相對的第一側壁和第二側壁上；以及第一源極/漏極層和第二源極/漏極層，分別位于基底的與柵極結構的第一側壁相鄰的上部和基底的與柵極結構的第二側壁相鄰的上部處。柵極結構的上表面可以具有參照作為基準面的基底的上表面從中心部分到第一側壁減小并且從中心部分到第二側壁基本恒定的高度。

根據發明構思的示例實施例，提供了一種半導體裝置。該半導體裝置可以包括：第一柵極結構、第二柵極結構和第三柵極結構，在基底上彼此分隔開；第一間隔件結構和第二間隔件結構，分別位于第一柵極結構、第二柵極結構和第三柵極結構中的每個的彼此相對的第一側壁和第二側壁上；以及第一源極/漏極層、第二源極/漏極層、第三源極/漏極層和第四源極/漏極層，分別位于基底的在第一柵極結構與第二柵極結構之間的上部、基底的在第二柵極結構與第三柵極結構之間的上部、基底的在第一柵極結構的一側處的上部和基底的在第三柵極結構的一側處的上部處。第一柵極結構和第二柵極結構可以彼此分隔開第一距離，并且第二柵極結構和第三柵極結構可以彼此分隔開大于第一距離的第二距離。參照作為基準面的基底的上表面，第二柵極結構的面對第一柵極結構的第一側壁上的第一間隔件結構的最上表面可以低于第二柵極結構的第二側壁上的第二間隔件結構的最上表面。

根據發明構思的示例實施例，提供了一種半導體裝置。該半導體裝置可以包括：第一有源圖案和第二有源圖案，分別位于基底的單元區域和外圍電路區域上，外圍電路區域在半導體裝置的平面圖中圍繞單元區域；第一柵極結構，掩埋在第一有源圖案的上部處；位線結構，物理地接觸第一有源圖案的中心上表面；接觸塞結構，物理地接觸第一有源圖案的相對的邊緣上表面中的每個；電容器，位于接觸塞結構上；第二柵極結構，位于第二有源圖案上；第一間隔件結構和第二間隔件結構，分別位于第二柵極結構的彼此相對的第一側壁和第二側壁上；以及第一源極/漏極層和第二源極/漏極層，分別位于基底的與第二柵極結構的第一側壁相鄰的上部和基底的與第二柵極結構的第二側壁相鄰的上部處。第二柵極結構的上表面可以具有參照作為基準面的基底的上表面從中心部分到第一側壁減小并且從中心部分到第二側壁基本恒定的高度。