[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110571210.6
• 申請(qǐng)日: 2021-05-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114156268A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林東均;金永信;樸基振;宋昊柱;楊同官;尹詳皓;李奎賢;李知垠;韓昇煜;洪潤(rùn)基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L29/423;H01L21/027;H01L21/266
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 陳亞男;韓芳

1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：

柵極結(jié)構(gòu)，位于基底上；

第一間隔件結(jié)構(gòu)和第二間隔件結(jié)構(gòu)，分別位于柵極結(jié)構(gòu)的彼此相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上；以及

第一源極/漏極層和第二源極/漏極層，分別位于基底的與柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁相鄰的上部和基底的與柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)壁相鄰的上部處，

其中，柵極結(jié)構(gòu)的上表面具有參照作為基準(zhǔn)面的基底的上表面從柵極結(jié)構(gòu)的中心部分到柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁減小并且從柵極結(jié)構(gòu)的中心部分到柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)壁基本恒定的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵極結(jié)構(gòu)包括順序地堆疊在基底上的柵極絕緣圖案、第一導(dǎo)電圖案、擴(kuò)散阻擋件、第二導(dǎo)電圖案和柵極掩模，

其中，柵極掩模的上表面具有參照作為基準(zhǔn)面的基底的上表面從柵極結(jié)構(gòu)的中心部分到柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁減小并且從柵極結(jié)構(gòu)的中心部分到柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)壁基本恒定的高度，并且

其中，第二導(dǎo)電圖案的上表面具有參照作為基準(zhǔn)面的基底的上表面在柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁與柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)壁之間基本恒定的高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案包括摻雜的多晶硅，擴(kuò)散阻擋件包括金屬硅氮化物，第二導(dǎo)電圖案包括金屬，并且柵極掩模包括氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一間隔件結(jié)構(gòu)和第二間隔件結(jié)構(gòu)彼此不對(duì)稱，并且具有彼此不同的形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，參照作為基準(zhǔn)面的基底的上表面，第一間隔件結(jié)構(gòu)的最上表面低于第二間隔件結(jié)構(gòu)的最上表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，參照作為基準(zhǔn)面的基底的上表面，第一間隔件結(jié)構(gòu)的上表面的高度隨著在基本平行于基底的上表面的方向上距柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁的距離增大而逐漸減小。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一間隔件結(jié)構(gòu)包括從柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁在基本平行于基底的上表面的方向上順序地堆疊的第一間隔件、第一蝕刻停止圖案和第三間隔件，并且

其中，第二間隔件結(jié)構(gòu)包括從柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)壁在基本平行于基底的上表面的方向上順序地堆疊的第二間隔件、第二蝕刻停止圖案和第四間隔件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一間隔件和第二間隔件中的每個(gè)包括氮化硅，第一蝕刻停止圖案和第二蝕刻停止圖案中的每個(gè)包括氧化硅，并且第三間隔件和第四間隔件中的每個(gè)包括氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一間隔件和第二間隔件中的每個(gè)包括氮化硅，第一蝕刻停止圖案和第二蝕刻停止圖案中的每個(gè)包括金屬氧化物，并且第三間隔件和第四間隔件中的每個(gè)包括氧化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一蝕刻停止圖案和第二蝕刻停止圖案中的每個(gè)包括呈“L”形圖案的剖面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一源極/漏極層和第二源極/漏極層中的每個(gè)包括：

第一雜質(zhì)區(qū)，包括具有第一濃度的雜質(zhì)；以及

第二雜質(zhì)區(qū)，包括具有大于第一濃度的第二濃度的雜質(zhì)，第二雜質(zhì)區(qū)位于第一雜質(zhì)區(qū)中。