[發明專利]包含天線的5G RFIC的封裝結構

在審

• 申請號: 202110571108.6
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN115394765A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 陳石磯
• 申請（專利權）人: 杭天創新科技有限公司;陳石磯
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/58;H01L23/31;H01L23/488;H01Q1/22
• 代理公司: 北京匯智英財專利代理有限公司 11301
• 代理人: 吳懷權

一種包含天線的5G RFIC的封裝結構，包含一介電層，該介電層的外表面設置至少一天線；該介電層的下方設置凹槽；該介電層的下方設置導接點；該介電層還設置至少一介電層接點；該介電層內還設置第二導電路徑，該第二導電路徑的一端連接該介電層接點，另一端則裸露在該介電層的外表面而連接該天線；一RFIC晶片，位于該介電層的該凹槽內，該RFIC晶片有至少一晶片接點；該晶片接點連接該介電層接點；一封裝膠層，位于該介電層的該凹槽內，而將該RFIC晶片封裝于該凹槽內；以及一基板，位于該介電層的下方，使得該介電層的下方的該凹槽的開口朝向該基板，而使得該RFIC晶片面向該基板，該基板的上方設置至少一導接球，該導接球連接該介電層下方的該導接點。

技術領域

本發明是有關于晶片封裝結構，尤其是一種包含天線的5G RFIC的封裝結構。

背景技術

現有技術的具RFIC的基板結構如圖4所示，包含一介電層結構10’，該介電層結構10’的內部置入一RFIC晶片30’，該RFIC晶片30’設置晶片接點32’。該RFIC晶片30’可通過該晶片接點32’連接導電材料所設置的導電路徑16’向下延伸，而連接在介電層結構10’下方的導接球41’，通過導接球41’而連接下方的一基板40’。另外該晶片接點32’也可通過該導電路徑16’向上延伸，而連接在介電層結構10’上方的天線50’。

另一種現有技術的具RFIC的基板結構如圖5所示，包含多層介電層結構10’、11’、12’，在第二層及第三層的介電層結構11’、12’之間封裝有一RFIC晶片30’及封裝材料70’，并適當的植入金屬板材作導電路徑16’及電磁屏蔽用，同時該導電路徑16’向下延伸出該介電層結構12’而連接下方的導接球41’，以進一步連接外部的基板(圖未顯示)，另外該導電路徑16’向上延伸出該介電層結構10’而連接上方的天線50’。

上述現有技術的結構，必須應用半導體工藝才可以完成，而無法應用傳統的封裝工藝制造，由于半導體工藝的程序與規劃相當復雜，而且制作成本也高，所以整體的成本相當高昂，會大量增加整個IC晶片的售價。

發明內容

本發明提出一種傳統的封裝方式，可以設置包含天線的5G RFIC的封裝結構，以解決上述現有技術上的缺陷。

本發明中提出一種包含天線的5G RFIC的封裝結構，包含一介電層，該介電層的外表面設置至少一天線；該介電層的下方設置凹槽；該介電層的下方設置導接點；該介電層還設置至少一介電層接點；該介電層內還設置第二導電路徑，該第二導電路徑的一端連接該介電層接點，另一端則裸露在該介電層的外表面而連接該天線；一RFIC晶片，位于該介電層的該凹槽內，該RFIC晶片有至少一晶片接點；該RFIC晶片的該晶片接點連接該介電層的該介電層接點；一封裝膠層，位于該介電層的該凹槽內，而將該RFIC晶片封裝于該凹槽內；以及一基板，位于該介電層的下方，使得該介電層的下方的該凹槽的開口朝向該基板，而使得該RFIC晶片面向該基板，該基板的上方設置至少一導接球，該導接球連接該介電層下方的該導接點。

進一步，其中該介電層內設置第一導電路徑，該第一導電路徑的一端連接該導接點，另一端則連通該介電層的外表面，以連接該天線；該天線通過該第一導電路徑連通該導接點，而通過該導接球饋入下方的該基板，以連接該基板的其他元件。

進一步，其中該至少一晶片接點位于該RFIC晶片的下方，而該至少一介電層接點位于該介電層的下方靠近該凹槽處，該晶片接點應用導線連接該介電層接點。

進一步，其中該至少一晶片接點位于該RFIC晶片的下方，而該至少一介電層接點位于該介電層的該凹槽的底部，該晶片接點應用導線連接該介電層接點。

進一步，其中該至少一晶片接點位于該RFIC晶片的上方，而該至少一介電層接點位于該介電層的該凹槽的底部，且該介電層接點的位置與該晶片接點對應，使得當該RFIC晶片置于該凹槽內部時，該介電層接點直接接觸該晶片接點。

進一步，其中該介電層為BT樹脂所構成。