[發(fā)明專利]一種二維材料光控邏輯門在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110566411.7 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113315507A | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張躍;黃夢婷;張錚;湯文輝;劉璇;王利華;陳匡磊;尚金森;衛(wèi)孝福 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京科技大學(xué) |
| 主分類號： | H03K19/094 | 分類號： | H03K19/094;H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11237 | 代理人： | 張仲波;付忠林 |
| 地址： | 100083*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 二維 材料 光控 邏輯 | ||
1.一種二維材料光控邏輯門，其特征在于，所述邏輯門包括第一襯底和第二襯底，所述第一襯底上集成有第一光敏層、第一電極、第二電極、第三電極以及第四電極；所述第二襯底上集成有第二光敏層、第五電極以及第六電極；其中，所述第一光敏層和所述第二光敏層均由二維光敏材料制成；
所述第一襯底、第一光敏層、第一電極和第二電極構(gòu)成第一光電晶體管；所述第一襯底、第一光敏層、第二電極和第三電極構(gòu)成第二光電晶體管；所述第一襯底、第一光敏層、第三電極和第四電極構(gòu)成第三光電晶體管；所述第二襯底、第二光敏層、第五電極和第六電極構(gòu)成第四光電晶體管；
所述第一襯底用作所述第一光電晶體管、第二光電晶體管和第三光電晶體管的柵極，所述第一光敏層用作所述第一光電晶體管、第二光電晶體管和第三光電晶體管的溝道；所述第一電極和第二電極分別用作第一光電晶體管的源極和漏極；所述第二電極和第三電極分別用作第二光電晶體管的源極和漏極；所述第三電極和第四電極分別用作第三光電晶體管的源極和漏極；所述第二襯底用作所述第四光電晶體管的柵極，所述第二光敏層用作所述第四光電晶體管的溝道，所述第五電極和第六電極分別用作第四光電晶體管的源極和漏極；
所述第一光電晶體管、所述第二光電晶體管以及所述第三光電晶體管串聯(lián)連接；所述第三光電晶體管與所述第四光電晶體管并聯(lián)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的二維材料光控邏輯門，其特征在于，所述第一光電晶體管、第二光電晶體管、第三光電晶體管以及第四光電晶體管的溝道寬度分別為2μm-3μm。
3.如權(quán)利要求1所述的二維材料光控邏輯門，其特征在于，所述第三電極與所述第六電極，以及所述第四電極與所述第五電極分別通過連接導(dǎo)線連接。
4.如權(quán)利要求3所述的二維材料光控邏輯門，其特征在于，所述連接導(dǎo)線為金金屬導(dǎo)線。
5.如權(quán)利要求1所述的二維材料光控邏輯門，其特征在于，所述第一光敏層和所述第二光敏層的厚度分別為3nm-30nm，長度分別為20-30μm。
6.如權(quán)利要求1所述的二維材料光控邏輯門，其特征在于，所述第一襯底最下面一層為硅，在硅上面有一層二氧化硅。
7.如權(quán)利要求6所述的二維材料光控邏輯門，其特征在于，所述第二襯底最下面一層為硅，在硅上面有一層二氧化硅。
8.如權(quán)利要求1所述的二維材料光控邏輯門，其特征在于，所述第一電極、第二電極、第三電極、第四電極、第五電極以及第六電極均為金金屬電極。
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