[發(fā)明專利]一種電路版圖設(shè)計方法、裝置、掩膜板及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110566049.3 | 申請日: | 2021-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN113312873B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐一建 | 申請(專利權(quán))人: | 海光信息技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/392 | 分類號: | G06F30/392;G06F30/398 |
| 代理公司: | 北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11237 | 代理人: | 張仲波 |
| 地址: | 300000 天津市濱海新區(qū)天津華苑*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電路 版圖 設(shè)計 方法 裝置 掩膜板 電子設(shè)備 | ||
1.一種電路版圖設(shè)計方法,其特征在于,包括:
在原始電路版圖中確定第一待填充版圖區(qū)域;
在所述第一待填充版圖區(qū)域中插入第一冗余圖形,得到第一中間電路版圖;
在所述第一中間電路版圖中確定第二待填充版圖區(qū)域;其中,所述第二待填充版圖區(qū)域與所述第一待填充版圖區(qū)域不完全重合;
確定與所述第二待填充版圖區(qū)域相鄰的至少一個版圖區(qū)域;
根據(jù)所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度和所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度,在所述第二待填充版圖區(qū)域插入第二冗余圖形;
在所述第一中間電路版圖中確定第二待填充版圖區(qū)域之后,所述方法,還包括:
從所述第一中間電路版圖中提取所述第二待填充版圖區(qū)域,以使所述第二待填充版圖區(qū)域形成獨立的第二中間電路版圖;提取所述第二待填充版圖區(qū)域后的所述第一中間電路版圖形成第三中間電路版圖;
所述根據(jù)所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度和所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度,在所述第二待填充版圖區(qū)域插入第二冗余圖形,包括:
根據(jù)所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度和所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度,在所述第二中間電路版圖中插入第二冗余圖形,形成第四中間電路版圖;根據(jù)所述第二待填充版圖區(qū)域在所述第一中間電路版圖的位置,將所述第四中間電路版圖合并到所述第三中間電路版圖中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述在原始電路版圖中確定第一待填充版圖區(qū)域,包括:
按照第一預(yù)設(shè)規(guī)則,將原始電路版圖進(jìn)行劃分,得到至少兩個第一版圖區(qū)域;
對每個所述第一版圖區(qū)域進(jìn)行密度檢查;
將版圖密度低于預(yù)定閾值的第一版圖區(qū)域確定為第一待填充版圖區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第一中間電路版圖中確定第二待填充版圖區(qū)域,包括:
按照第二預(yù)設(shè)規(guī)則,將所述第一中間電路版圖進(jìn)行劃分,得到至少兩個第二版圖區(qū)域;所述第二版圖區(qū)域與所述第一待填充版圖區(qū)域不完全重合;
對每個所述第二版圖區(qū)域進(jìn)行密度檢查;
將版圖密度低于預(yù)定閾值的第二版圖區(qū)域確定為第二待填充版圖區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度和所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度,在所述第二中間電路版圖中插入第二冗余圖形,包括:
根據(jù)所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度和所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度,確定所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度與所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度的密度差值;
根據(jù)所述密度差值,在所述第二中間電路版圖中插入第二冗余圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第三中間電路版圖中、與所述第二待填充版圖區(qū)域?qū)?yīng)的位置包括主圖形;
在將所述第四中間電路版圖合并到所述第三中間電路版圖中之前,所述方法,還包括:
刪除所述第四中間電路版圖中的主圖形,形成新的第四中間電路版圖。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度和所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度,在所述第二待填充版圖區(qū)域插入第二冗余圖形,包括:
根據(jù)所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度和所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度,確定所述第二待填充版圖區(qū)域的版圖密度與所述相鄰的至少一個版圖區(qū)域的版圖密度的密度差值;
根據(jù)所述密度差值,在所述第二待填充版圖區(qū)域插入第二冗余圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第二待填充版圖區(qū)域插入第二冗余圖形之后,所述方法,還包括:
對所述第二冗余圖形進(jìn)行修飾,以使修飾后的第二冗余圖形的特征與所述第一冗余圖形的特征統(tǒng)一。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于海光信息技術(shù)股份有限公司,未經(jīng)海光信息技術(shù)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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