[發(fā)明專利]一種測(cè)試半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)擊穿的設(shè)備、系統(tǒng)和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110564858.0
• 申請(qǐng)日: 2021-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN113514738A
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G01R31/12
• 分類號(hào): G01R31/12
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 楊麗爽

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N測(cè)試半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)擊穿的設(shè)備、系統(tǒng)和方法，該設(shè)備包括：第一支路和第二支路，第一支路的阻抗大于第二支路的阻抗，第一支路的第一端用于連接半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端，第一支路的第二端接地，第二支路的第一端用于連接電壓源，第二支路的第二端接地，測(cè)試半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的擊穿時(shí)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端連接電壓源，第二支路斷開，第一支路導(dǎo)通以使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被電壓源擊穿進(jìn)行擊穿測(cè)試，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被擊穿后，第二支路導(dǎo)通，第一支路斷開。從而可以在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被擊穿后，減輕對(duì)擊穿后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步損傷，方便研究人員后期對(duì)擊穿失效位置的第一現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行物理失效分析。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種測(cè)試半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)擊穿的設(shè)備、系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

如今，在對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行擊穿測(cè)試時(shí)，如對(duì)金屬間電介質(zhì)層IMD(Inter MetalDielectric)或者柵氧化物集成層GOI(Gate Oxide integration)等進(jìn)行測(cè)試時(shí)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在測(cè)試達(dá)到擊穿后，即半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)失效后，由于沒有相應(yīng)的保護(hù)措施，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的燒傷損傷，由于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的失效位置出現(xiàn)了嚴(yán)重的燒傷損傷，后期無法對(duì)于失效位置的第一現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行物理失效分析。

即由于燒傷損傷的存在，無法對(duì)發(fā)生失效位置的內(nèi)在原因及其機(jī)理進(jìn)行具體分析，給測(cè)試人員造成了極大的不便，無法從測(cè)試中總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，進(jìn)行進(jìn)一步的研究。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決以上技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N測(cè)試半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)擊穿的設(shè)備、系統(tǒng)和方法，可以減輕失效后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的損傷，方便研究人員后期對(duì)失效位置的第一現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行物理失效分析。

第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N測(cè)試半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)擊穿的設(shè)備，該設(shè)備包括：

第一支路和第二支路；所述第一支路的阻抗大于所述第二支路的阻抗；

所述第一支路的第一端用于連接所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端，所述第一支路的第二端接地；

所述第二支路的第一端用于連接電壓源，所述第二支路的第二端接地；

測(cè)試所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的擊穿時(shí)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端連接電壓源，所述第二支路斷開，所述第一支路導(dǎo)通以使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被所述電壓源擊穿進(jìn)行擊穿測(cè)試；

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被擊穿后，所述第二支路導(dǎo)通，所述第一支路斷開。

可選的，所述第一支路包括第一開關(guān)；

所述第一開關(guān)的第一端用于連接所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

所述第一開關(guān)的第二端接地；

所述第一開關(guān)的控制端用于連接所述電壓源，用于在測(cè)試所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的擊穿時(shí)，所述第一支路導(dǎo)通以使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被所述電壓源擊穿進(jìn)行擊穿測(cè)試。

可選的，所述第一開關(guān)包括第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；

所述第一開關(guān)的第一端包括所述第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極；

所述第一開關(guān)的第二端包括所述第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極；

所述第一開關(guān)的控制端包括所述第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極。

可選的，所述第二支路包括第二開關(guān)；

所述第二開關(guān)的第一端用于連接所述電壓源；

所述第二開關(guān)的第二端接地；

所述第二開關(guān)的控制端連接所述第一開關(guān)的第一端，用于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被擊穿后，所述第二支路導(dǎo)通，所述第一支路斷開。

可選的，所述第二開關(guān)包括第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；

所述第二開關(guān)的第一端包括所述第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極；