[發明專利]一種測試半導體結構擊穿的設備、系統和方法在審
| 申請號： | 202110564858.0 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113514738A | 公開（公告）日： | 2021-10-19 |
| 發明（設計）人： | 王志強 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | G01R31/12 | 分類號： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 楊麗爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 測試 半導體 結構 擊穿 設備 系統 方法 | ||
1.一種測試半導體結構擊穿的設備，其特征在于，包括：第一支路和第二支路；所述第一支路的阻抗大于所述第二支路的阻抗；
所述第一支路的第一端用于連接所述半導體結構的第二端，所述第一支路的第二端接地；
所述第二支路的第一端用于連接電壓源，所述第二支路的第二端接地；
測試所述半導體結構的擊穿時，所述半導體結構的第一端連接電壓源，所述第二支路斷開，所述第一支路導通以使所述半導體結構被所述電壓源擊穿進行擊穿測試；
所述半導體結構被擊穿后，所述第二支路導通，所述第一支路斷開。
2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述第一支路包括第一開關；
所述第一開關的第一端用于連接所述半導體結構；
所述第一開關的第二端接地；
所述第一開關的控制端用于連接所述電壓源，用于在測試所述半導體結構的擊穿時，所述第一支路導通以使所述半導體結構被所述電壓源擊穿進行擊穿測試。
3.根據權利要求2所述的設備，其特征在于，所述第一開關包括第一N型金屬氧化物半導體晶體管；
所述第一開關的第一端包括所述第一N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極；
所述第一開關的第二端包括所述第一N型金屬氧化物半導體晶體管的源極；
所述第一開關的控制端包括所述第一N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的設備，其特征在于，所述第二支路包括第二開關；
所述第二開關的第一端用于連接所述電壓源；
所述第二開關的第二端接地；
所述第二開關的控制端連接所述第一開關的第一端，用于所述半導體結構被擊穿后，所述第二支路導通，所述第一支路斷開。
5.根據權利要求4所述的設備，其特征在于，所述第二開關包括第二N型金屬氧化物半導體晶體管；
所述第二開關的第一端包括所述第二N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極；
所述第二開關的第二端包括所述第二N型金屬氧化物半導體晶體管的源極；
所述第二開關的控制端包括所述第二N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極。
6.根據權利要求3所述的設備，其特征在于，所述第一支路包括第一阻抗網絡；所述第一N型金屬氧化物半導體晶體管的源極通過所述第一阻抗網絡接地。
7.根據權利要求3所述的設備，其特征在于，所述電壓源提供的電壓大于或等于所述第一N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極開啟電壓，且小于所述第一N型金屬氧化物半導體晶體管的源漏擊穿電壓。
8.根據權利要求5所述的設備，其特征在于，所述電壓源提供的電壓大于或等于所述第二N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極開啟電壓，且小于所述第二N型金屬氧化物半導體晶體管的源漏擊穿電壓。
9.一種測試半導體結構擊穿的系統，其特征在于，包括：半導體結構和如權利要求1-8所述的設備。
10.一種測試半導體結構擊穿的方法，其特征在于，包括：
提供測試半導體結構擊穿的設備，所述設備包括第一支路和第二支路；所述第一支路的阻抗大于所述第二支路的阻抗；
將所述半導體結構的第一端連接電壓源，所述半導體結構的第二端連接所述第一支路的第一端，所述第一支路的第二端接地，所述第二支路的第一端連接所述電壓源，所述第二支路的第二端接地，
當檢測到所述半導體結構的第二端的電壓等于0V時，確認所述半導體結構擊穿。
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