[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110563739.3
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN113937000A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高橋裕也;田中俊介;橋本孝一
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/288
• 分類號: H01L21/288;H01L21/683
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 周爽;楊敏

本發(fā)明提供能夠提高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在半導(dǎo)體晶片的背面粘貼第一帶(背面帶)，利用第二帶覆蓋半導(dǎo)體晶片的背面電極。在半導(dǎo)體晶片的外周部粘貼第二帶(外周帶)，利用第二帶覆蓋半導(dǎo)體晶片的端部。第一帶和第二帶是UV帶。在40℃以上的溫度對處于粘貼有第一帶和第二帶的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片進行加熱，半導(dǎo)體晶片與第一帶和第二帶之間的粘接力變大。在粘貼有第一帶和第二帶的狀態(tài)下對半導(dǎo)體晶片進行鍍覆處理，在半導(dǎo)體晶片的正面電極上形成鍍層。依次剝離第二帶、第一帶。因為通過UV照射使粘接劑層硬化后剝離第一帶和第二帶，所以粘接劑層不會殘留在半導(dǎo)體晶片表面。

技術(shù)領(lǐng)域

該發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

技術(shù)背景

以往，已知在兩個主表面具有表面電極(電極焊盤)的縱向型半導(dǎo)體裝置中，在正面電極和背面電極焊接各不同的外部連接用端子(例如端子銷和/或銅箔板)的布線構(gòu)造。由于焊接正面電極與外部連接用端子，所以與通過引線鍵合來連接正面電極和外部連接用端子的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)模塊封裝的高密度安裝化、電流密度的提高、用于開關(guān)速度的高速化的布線容量降低、半導(dǎo)體元件的冷卻效率的提高等。

正面電極通常利用含有高導(dǎo)電性的鋁(Al)的金屬形成。因為鋁的焊料潤濕性差，所以在正面電極的表面形成焊料潤濕性好的金屬層(例如鎳(Ni)層)，提高正面電極的表面的焊料潤濕性，從而正面電極與焊料層的界面的接合可靠性提高。作為在正面電極的表面形成焊料潤濕性好的金屬層的方法，公知通過電鍍法和/或無電鍍法來進行鍍覆處理。

作為在半導(dǎo)體晶片的預(yù)定部位進行鍍覆處理的方法，提出了在不形成半導(dǎo)體晶片的鍍層的部位粘貼帶的狀態(tài)下進行鍍覆處理的方法(例如，參照下述專利文獻1至4)。在下述專利文獻1至4中，由于利用帶覆蓋不形成半導(dǎo)體晶片的鍍層的部位(背面電極和/或晶片外周部)來進行保護，所以防止向不形成鍍層的部位析出鍍層(以下，稱為異常析出)、因異常析出而剝離的鍍層所導(dǎo)致的鍍覆液污染和/或鍍覆液組成的經(jīng)時變化等。

另外，在下述專利文獻1和專利文獻2中，在使用中央部的厚度薄而外周部以預(yù)定寬度保留有厚度的肋拱(rib arch)形狀的半導(dǎo)體晶片的情況下，以使第一帶與因半導(dǎo)體晶片的中央部與外周部之間的厚度差而在半導(dǎo)體晶片的背面產(chǎn)生的臺階的傾斜面、以及半導(dǎo)體晶片的背面的比臺階更靠外側(cè)的平坦部緊貼的方式，將第一帶粘貼在半導(dǎo)體晶片的整個背面。公開了以使第二帶在半導(dǎo)體晶片的外周部的背面?zhèn)鹊钠教共恐丿B在第一帶上的方式將第二帶粘貼在半導(dǎo)體晶片的外周部。

另外，在下述專利文獻1、2、4中公開了使用具有通過紫外線(UV：Ultraviolet)照射而硬化從而粘接力小的粘接劑層的UV帶作為粘貼在半導(dǎo)體晶片的帶。另外，在下述專利文獻4中，在向半導(dǎo)體晶片的背面粘貼帶時，將進行了薄化工序的半導(dǎo)體晶片維持在以40℃以上且60℃以下加熱而向正面?zhèn)韧蛊鸬芈N曲的狀態(tài)下，并且對該向正面?zhèn)韧蛊鸬芈N曲的狀態(tài)下的半導(dǎo)體晶片進行鍍覆處理，從而使帶剝離后的半導(dǎo)體晶片的翹曲減低。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-086667號公報

專利文獻2：日本特開2016-152317號公報

專利文獻3：日本特開2016-058677號公報

專利文獻4：日本特開2011-222898號公報

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

然而，發(fā)明者們通過勤奮研究發(fā)現(xiàn)，在上述以往的鍍覆處理方法中，即使在利用帶覆蓋不形成半導(dǎo)體晶片的鍍層的部位(半導(dǎo)體晶片的背面和外周部)的狀態(tài)下進行鍍覆處理，也會發(fā)生如下三個問題。第一個問題是，在半導(dǎo)體晶片的背面與帶之間侵入鍍覆液，在半導(dǎo)體晶片的外周部中的背面電極生成因鍍覆液的“污漬”而導(dǎo)致的外觀不良。發(fā)明者們就這一個問題產(chǎn)生的原因，使用肋拱形狀的半導(dǎo)體晶片進行了驗證。