[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110563739.3
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN113937000A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高橋裕也;田中俊介;橋本孝一
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/288
• 分類號: H01L21/288;H01L21/683
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 周爽;楊敏

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體晶片的第一主表面?zhèn)韧ㄟ^鍍覆處理而形成鍍層，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含：

第一工序，在所述半導(dǎo)體晶片的第一主表面形成第一電極；

第二工序，在所述半導(dǎo)體晶片的第二主表面粘貼第一帶，利用所述第一帶覆蓋所述半導(dǎo)體晶片的第二主表面；

第三工序，在所述半導(dǎo)體晶片的外周部粘貼第二帶，利用所述第二帶覆蓋所述半導(dǎo)體晶片的端部；

第四工序，通過40℃以上的溫度的熱處理對處于粘貼有所述第一帶和所述第二帶的狀態(tài)下的所述半導(dǎo)體晶片進行加熱；以及

第五工序，在所述第四工序之后，通過所述鍍覆處理在所述第一電極的表面上形成所述鍍層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，在80℃以下的溫度進行所述熱處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，將所述熱處理的時間設(shè)為20分鐘至40分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第五工序之后，還包括從所述半導(dǎo)體晶片剝離所述第二帶的第六工序，

所述第二帶具有受到紫外線照射后硬化而使粘接力變小的粘接劑層，

在所述第三工序中，通過從所述半導(dǎo)體晶片的第一主表面跨到第二主表面而在所述半導(dǎo)體晶片的表面粘接所述粘接劑層而粘貼所述第二帶，從而利用所述第二帶來覆蓋所述半導(dǎo)體晶片的端部，

在所述第六工序中，在通過所述紫外線照射使所述第二帶的所述粘接劑層硬化后，剝離所述第二帶。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，以使所述第二帶在所述半導(dǎo)體晶片的第二主表面的外周部重疊在所述第一帶之上的方式，從所述半導(dǎo)體晶片的第一主表面跨到第二主表面地粘貼所述第二帶，

在所述第六工序中，在通過來自所述半導(dǎo)體晶片的第一主表面?zhèn)鹊乃鲎贤饩€照射使所述第二帶的粘貼在所述半導(dǎo)體晶片的第一主表面的所述粘接劑層硬化后，剝離所述第二帶。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的外周粘貼至少一周所述第二帶。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，將所述半導(dǎo)體晶片投入加熱爐，直接加熱所述第一帶和所述第二帶。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，將所述半導(dǎo)體晶片放置于被加熱裝置加熱的臺面，從而加熱所述第一帶和所述第二帶。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，將加熱所述半導(dǎo)體晶片時的氣氛設(shè)為氮氣氣氛。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第一工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的第一主表面形成所述第一電極，并且在所述半導(dǎo)體晶片的第二主表面形成第二電極，

在所述第二工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的第二主表面粘貼所述第一帶，利用所述第一帶覆蓋所述第二電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

使用中央部的厚度薄而預(yù)定寬度的外周部保留得比中央部的厚度厚的半導(dǎo)體晶片作為所述半導(dǎo)體晶片。