[發明專利]聚焦方法及裝置、聚焦設備和存儲介質有效
| 申請號: | 202110563449.9 | 申請日: | 2021-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN113299575B | 公開(公告)日: | 2023-03-21 |
| 發明(設計)人: | 陳魯;魏林鵬;黃有為;張嵩 | 申請(專利權)人: | 深圳中科飛測科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 邵泳城 |
| 地址: | 518110 廣東省深圳市龍華區大浪街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚焦 方法 裝置 設備 存儲 介質 | ||
本申請提供一種聚焦方法、聚焦裝置、聚焦設備和非易失性計算機可讀存儲介質。聚焦方法包括通過第一傳感器接收待測件反射的第一光源發射的光線以生成光信號,并根據光信號確定待測件和聚焦設備的距離值;根據距離值調節待測件和聚焦設備之間的距離,以使得待測件位于第一預設高度;通過第二傳感器接收傾斜入射待測件,且被待測件反射的第二光源發射的光線以生成檢測圖像;及根據檢測圖像及第一預設高度對應的調節范圍調節待測件和聚焦設備之間的距離,以使得待測件處于第二預設高度。聚焦方法、聚焦裝置、聚焦設備和非易失性計算機可讀存儲介質通過粗聚焦方式配合精聚焦方式,實現了聚焦設備的高精度聚焦。
技術領域
本申請涉及檢測技術領域,特別涉及一種聚焦方法、聚焦裝置、聚焦設備和非易失性計算機可讀存儲介質。
背景技術
目前,在對晶圓的高度進行調整,以對晶圓進行對焦時,由于晶圓承載裝置的高度不同,因此在對晶圓的高度進行校正時,需要重新對晶圓進行聚焦,但晶圓檢測對聚焦的精度要求較高,因此,亟需一種能夠實現高精度聚焦的方案。
發明內容
本申請提供了一種聚焦方法、聚焦裝置、聚焦設備和非易失性計算機可讀存儲介質。
本申請實施方式的聚焦方法包括通過第一傳感器接收所述待測件反射的第一光源發射的光線以生成光信號,并根據所述光信號確定所述待測件和聚焦設備的距離值;根據所述距離值調節所述待測件和所述聚焦設備之間的距離,以使得所述待測件位于第一預設高度;通過第二傳感器接收傾斜入射所述待測件,且被所述待測件反射的第二光源發射的光線以生成檢測圖像;及根據所述檢測圖像及所述第一預設高度對應的調節范圍調節所述待測件和所述聚焦設備之間的距離,以使得所述待測件處于第二預設高度。
本申請實施方式的聚焦裝置包括輸入第一確定模塊、第一調節模塊、生成模塊和第二調節模塊。第一確定模塊用于通過第一傳感器接收所述待測件反射的第一光源發射的光線以生成光信號,并根據所述光信號確定所述待測件和聚焦設備的距離值;第一調節模塊用于根據所述距離值調節所述待測件和所述聚焦設備之間的距離,以使得所述待測件位于第一預設高度;生成模塊用于通過第二傳感器接收傾斜入射所述待測件,且被所述待測件反射的第二光源發射的光線以生成檢測圖像;及第二調節模塊用于根據所述檢測圖像及所述第一預設高度對應的調節范圍調節所述待測件和所述聚焦設備之間的距離,以使得所述待測件處于第二預設高度。
本申請實施方式的聚焦設備包括處理器、第一光源、第二光源、第一傳感器和第二傳感器。第一光源用于照射待測件;第一傳感器用于接收所述待測件反射的所述第一光源發射的光線以生成光信號;第二光源用于傾斜照射所述待測件;第二傳感器用于接收傾斜入射所述待測件,且被所述待測件反射的第二光源發射的光線以生成檢測圖像;處理器用于根據所述光信號確定所述待測件和聚焦設備的距離值、根據所述距離值調節所述待測件和所述聚焦設備之間的距離,以使得所述待測件位于第一預設高度、及根據所述檢測圖像及所述第一預設高度對應的調節范圍調節所述待測件和所述聚焦設備之間的距離,以使得所述待測件處于第二預設高度。
本申請實施方式的一種包含計算機程序的非易失性計算機可讀存儲介質,當所述計算機程序被一個或多個處理器執行時,使得所述處理器執行所述聚焦方法。所述聚焦方法包括通過第一傳感器接收所述待測件反射的第一光源發射的光線以生成光信號,并根據所述光信號確定所述待測件和聚焦設備的距離值;根據所述距離值調節所述待測件和所述聚焦設備之間的距離,以使得所述待測件位于第一預設高度;通過第二傳感器接收傾斜入射所述待測件,且被所述待測件反射的第二光源發射的光線以生成檢測圖像;及根據所述檢測圖像及所述第一預設高度對應的調節范圍調節所述待測件和所述聚焦設備之間的距離,以使得所述待測件處于第二預設高度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳中科飛測科技股份有限公司,未經深圳中科飛測科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110563449.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





