[發(fā)明專利]半導體器件和形成半導體器件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110563403.7
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN113745219A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設計）人: 沙哈吉·B·摩爾
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一鰭，從隔離區(qū)域突出；

第二鰭，從所述隔離區(qū)域突出；

第一鰭間隔件，位于所述第一鰭中的一個的第一側壁上，所述第一鰭間隔件設置在所述隔離區(qū)域上，所述第一鰭間隔件具有第一間隔件高度；

第二鰭間隔件，位于所述第二鰭中的一個的第二側壁上，所述第二鰭間隔件設置在所述隔離區(qū)域上，所述第二鰭間隔件具有第二間隔件高度，所述第一間隔件高度大于所述第二間隔件高度；

第一外延源極/漏極區(qū)域，位于所述第一鰭間隔件上和所述第一鰭中，所述第一外延源極/漏極區(qū)域具有第一寬度；以及

第二外延源極/漏極區(qū)域，位于所述第二鰭間隔件上和所述第二鰭中，所述第二外延源極/漏極區(qū)域具有第二寬度，所述第一寬度大于所述第二寬度。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一外延源極/漏極區(qū)域包括p型摻雜劑，并且所述第二外延源極/漏極區(qū)域包括n型摻雜劑。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一間隔件高度與所述第二間隔件高度的比率在1至2的范圍內。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一外延源極/漏極區(qū)域具有凸頂面，并且所述第二外延源極/漏極區(qū)域具有凹頂面。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一外延源極/漏極區(qū)域的所述凸頂面在所述第一鰭的第一頂面之上升高第一升高高度，所述第二外延源極/漏極區(qū)域的所述凹頂面在所述第二鰭的第二頂面之上升高第二升高高度，并且所述第一升高高度大于所述第二升高高度。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件，其中，所述第一升高高度與所述第二升高高度的比率在1.5至2的范圍內。

7.一種半導體器件，包括：

第一鰭，從襯底延伸；

多個第二鰭，從所述襯底延伸；

第一外延源極/漏極區(qū)域，位于所述第一鰭中，所述第一外延源極/漏極區(qū)域具有第一寬度；

第二外延源極/漏極區(qū)域，位于所述第二鰭中，所述第二外延源極/漏極區(qū)域具有第二寬度，所述第一寬度小于所述第二寬度；

第一鰭間隔件，位于所述第一外延源極/漏極區(qū)域和所述第一鰭的第一側壁上，所述第一鰭間隔件具有第一間隔件高度；以及

第二鰭間隔件，位于所述第二外延源極/漏極區(qū)域和所述第二鰭中的一個的第二側壁上，所述第二鰭間隔件具有第二間隔件高度，所述第一間隔件高度大于所述第二間隔件高度。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其中，所述第一外延源極/漏極區(qū)域包括p型摻雜劑，并且所述第二外延源極/漏極區(qū)域包括n型摻雜劑。

9.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其中，所述第一寬度與所述第二寬度的比率在0.3至0.45的范圍內。

10.一種形成半導體器件的方法，包括：

形成從隔離區(qū)域突出的第一鰭和第二鰭；

在所述第一鰭上沉積第一介電層；

在所述第二鰭上沉積第二介電層；

圖案化所述第一介電層，以形成與所述第一鰭相鄰并且位于所述隔離區(qū)域上的第一鰭間隔件，所述第一鰭間隔件具有第一間隔件高度；

圖案化所述第二介電層，以形成與所述第二鰭相鄰并且位于所述隔離區(qū)域上的第二鰭間隔件，所述第二鰭間隔件具有第二間隔件高度，所述第一間隔件高度大于所述第二間隔件高度；

在所述第一鰭中和所述第一鰭間隔件上生長第一外延源極/漏極區(qū)域，所述第一外延源極/漏極區(qū)域具有第一寬度；以及

在所述第二鰭中和所述第二鰭間隔件上生長第二外延源極/漏極區(qū)域，所述第二外延源極/漏極區(qū)域具有第二寬度，所述第一寬度大于所述第二寬度。