[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其讀取方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110562897.7
• 申請(qǐng)日: 2021-05-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113744785A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 妹尾真言
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/26
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/26
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 董驍毅;葉明川

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀取方法，其特征在于，包含：

第1步驟，針對(duì)NAND型存儲(chǔ)單元陣列的各區(qū)塊，準(zhǔn)備至少一個(gè)監(jiān)視用NAND串列；

第2步驟，編程選擇字線(xiàn)的存儲(chǔ)單元時(shí)，編程所述監(jiān)視用NAND串列的存儲(chǔ)單元；

第3步驟，讀取選擇字線(xiàn)n的存儲(chǔ)單元時(shí)，檢測(cè)所述監(jiān)視用NAND串列的非選擇字線(xiàn)n+1的存儲(chǔ)單元是否被編程；

第4步驟，根據(jù)第3步驟的檢測(cè)結(jié)果，決定各自附加于讀取通過(guò)電壓以及讀取電壓的第一偏移電壓以及第二偏移電壓；以及

第5步驟，將附加所述第一偏移電壓的讀取通過(guò)電壓施加于非選擇字線(xiàn)，將附加所述第二偏移電壓的讀取電壓施加于選擇字線(xiàn)n。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀取方法，其特征在于，所述第3步驟包括：

于非選擇字線(xiàn)n+1施加讀取電壓，于選擇字線(xiàn)n以及其他非選擇字線(xiàn)施加讀取通過(guò)電壓，檢測(cè)所述監(jiān)視用NAND串列的存儲(chǔ)單元是否被編程。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀取方法，其特征在于，所述第3步驟通過(guò)流經(jīng)所述監(jiān)視用NAND串列的電流檢測(cè)存儲(chǔ)單元是否被編程。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀取方法，其特征在于，所述第3步驟通過(guò)與所述監(jiān)視用NAND串列連接的位線(xiàn)的電位檢測(cè)存儲(chǔ)單元是否被編程。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀取方法，其特征在于，所述第2步驟根據(jù)選擇字線(xiàn)的被編程存儲(chǔ)單元的數(shù)量，編程所述監(jiān)視用NAND串列的存儲(chǔ)單元。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀取方法，其特征在于，所述第2步驟在選擇字線(xiàn)的被編程存儲(chǔ)單元過(guò)半數(shù)時(shí)，編程所述監(jiān)視用NAND串列的存儲(chǔ)單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀取方法，其特征在于，所述第3步驟于位線(xiàn)的預(yù)充電期間被實(shí)施。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀取方法，其特征在于，所述監(jiān)視用NAND串列，在沒(méi)有經(jīng)由使用者使用的存儲(chǔ)單元陣列的區(qū)域，或者無(wú)法經(jīng)由使用者存取的存儲(chǔ)單元陣列的區(qū)域中被準(zhǔn)備。

9.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包含：

NAND型存儲(chǔ)單元陣列，包含多個(gè)區(qū)塊，各區(qū)塊中形成至少一個(gè)監(jiān)視用NAND串列；

編程裝置，編程與選擇字線(xiàn)連接的存儲(chǔ)單元；

讀取裝置，進(jìn)行與選擇字線(xiàn)連接的存儲(chǔ)單元的讀取；

所述編程裝置，在編程選擇字線(xiàn)的存儲(chǔ)單元時(shí)，編程所述監(jiān)視用NAND串列的存儲(chǔ)單元；

所述讀取裝置，在讀取選擇字線(xiàn)n的存儲(chǔ)單元時(shí)，檢測(cè)所述監(jiān)視用NAND串列的非選擇字線(xiàn)n+1的存儲(chǔ)單元是否被編程，根據(jù)檢測(cè)結(jié)果決定各自附加于讀取通過(guò)電壓以及讀取電壓的第一偏移電壓以及第二偏移電壓，將附加所述第一偏移電壓的讀取通過(guò)電壓施加于非選擇字線(xiàn)，將附加所述第二偏移電壓的讀取電壓施加于選擇字線(xiàn)n。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述編程裝置根據(jù)選擇字線(xiàn)的被編程存儲(chǔ)單元的數(shù)量，編程所述監(jiān)視用NAND串列的存儲(chǔ)單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述讀取裝置于非選擇字線(xiàn)n+1施加讀取電壓，于選擇字線(xiàn)n以及其他非選擇字線(xiàn)施加讀取通過(guò)電壓，檢測(cè)所述監(jiān)視用NAND串列的存儲(chǔ)單元是否被編程。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述讀取裝置包含頁(yè)緩沖/感應(yīng)電路，所述頁(yè)緩沖/感應(yīng)電路，通過(guò)流經(jīng)所述監(jiān)視用NAND串列的電流，檢測(cè)存儲(chǔ)單元是否被編程，或者，所述頁(yè)緩沖/感應(yīng)電路，通過(guò)與所述監(jiān)視用NAND串列連接的位線(xiàn)的電位，檢測(cè)存儲(chǔ)單元是否被編程。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述讀取裝置，于位線(xiàn)的預(yù)充電期間檢測(cè)所述監(jiān)視用NAND串列的非選擇字線(xiàn)n+1的存儲(chǔ)單元是否被編程。