[發明專利]晶圓缺陷的分析方法及系統

在審

• 申請號: 202110562681.0
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN113032416A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 馮亞;陳建銓;蔡信裕
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: G06F16/24
• 分類號: G06F16/24;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

本發明提供一種晶圓缺陷的分析方法及系統，所述分析方法包括：建立設備數據庫，包括第一類數據及第二類數據，第一類數據為晶圓與設備直接接觸的數據，第二類數據為晶圓與設備間接接觸的數據，第一類數據及第二類數據均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；獲取一產品晶圓上的至少一個晶圓缺陷的缺陷數據，缺陷數據包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；比對缺陷數據與設備數據庫，確認晶圓缺陷的設備來源。通過獲得晶圓制造過程中晶圓與設備的第一類數據及第二類數據，以建立設備數據庫，然后將產品晶圓的缺陷數據與設備數據庫對比，即可快速、準確的分析確定產生晶圓缺陷的設備來源，以實現快速、準確分析晶圓缺陷的設備來源。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種晶圓缺陷的分析方法及系統。

背景技術

在半導體工藝制程中，時有與設備相關的晶圓缺陷產生，進而造成產品良率下降，嚴重的會導致整個晶圓的報廢。與設備相關的晶圓缺陷，包括但不限于如劃傷、沾污。在檢測站點在線或離線檢測到晶圓缺陷后，如何快速、準確地定位到與產生晶圓缺陷相關的設備以便于進一步解決問題是提高半導體工藝制程良率的關鍵。

目前，檢測到晶圓缺陷后，主要是通過人工在線查找，憑借經驗來判斷產生缺陷的設備來源。此種方式不僅耗費大量人力物力，效率低下，并且嚴重依賴于分析人員分析經驗的多寡，甚至經常出現不同分析人員得出完全不同結論的現象。但隨著半導體器件的不斷微型化和集成化，制造晶圓所需的制程步驟愈加復雜，所歷經工藝設備亦愈加繁雜，現有的分析方式愈加不適于技術的發展。

因此，亟需一種能適應于半導體工藝制程發展的能快速、準確分析缺陷的方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓缺陷的分析方法及系統，以實現快速、準確地分析晶圓缺陷。

為解決上述技術問題，本發明提供一種分析晶圓缺陷的方法，包括：建立設備數據庫，所述設備數據庫存儲有第一類數據及第二類數據，所述第一類數據為晶圓與設備直接接觸的數據，所述第二類數據為晶圓與設備間接接觸的數據，所述第一類數據及第二類數據均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；獲取產品晶圓上的至少一個晶圓缺陷的缺陷數據，所述缺陷數據包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；以及，比對所述產品晶圓上的缺陷數據與所述設備數據庫中存儲的第一類數據及第二類數據，并基于比對結果確認所述產品晶圓上的晶圓缺陷的設備來源。

可選的，所述晶圓與設備間接接觸的數據為晶圓與設備中的流體接觸的數據。

可選的，所述晶圓與設備間接接觸的數據為設備中的流體與晶圓的初次接觸面的數據，所述初次接觸面為非整面且相對固定的接觸面。

可選的，所述建立設備數據庫的步驟包括：通過所述設備的工程圖紙得到所述設備的第一類數據及第二類數據；以及，利用測試晶圓測量并修正所述設備的第一類數據及第二類數據。

可選的，所述設備數據庫還存儲有所述第一類數據或所述第二類數據相對應的晶圓缺陷的圖像。

可選的，若所述設備相對所述晶圓運動，則所述第一類數據的角度信息為所述運動的角度信息。

可選的，所述晶圓缺陷包括晶圓正面的缺陷及晶圓背面的缺陷。

可選的，若多個晶圓缺陷分布具有相同的特征，則將所述多個晶圓缺陷視為源于同一缺陷來源。

可選的，所述比對所述產品晶圓上的缺陷數據與所述設備數據庫中存儲的第一類數據及第二類數據的步驟包括：比對所述產品晶圓上的缺陷數據與所述設備數據庫中存儲的第一類數據及第二類數據，并按照位置信息、角度信息及尺寸信息由高到低的重要程度進行相似度的排序。