[發明專利]晶圓缺陷的分析方法及系統在審
| 申請號: | 202110562681.0 | 申請日: | 2021-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN113032416A | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發明(設計)人: | 馮亞;陳建銓;蔡信裕 | 申請(專利權)人: | 晶芯成(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F16/24 | 分類號: | G06F16/24;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京經濟技術開*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 缺陷 分析 方法 系統 | ||
1.一種晶圓缺陷的分析方法,用于分析產品晶圓制造過程中晶圓缺陷的設備來源,其特征在于,包括:
建立設備數據庫,所述設備數據庫存儲有第一類數據及第二類數據,所述第一類數據為晶圓與設備直接接觸的數據,所述第二類數據為晶圓與設備間接接觸的數據,所述第一類數據及第二類數據均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息;
獲取產品晶圓上的至少一個晶圓缺陷的缺陷數據,所述缺陷數據包括位置信息、尺寸信息以及角度信息;以及,
比對所述產品晶圓上的缺陷數據與所述設備數據庫中存儲的第一類數據及第二類數據,并基于比對結果確認所述產品晶圓上的晶圓缺陷的設備來源。
2.根據權利要求1所述的晶圓缺陷的分析方法,其特征在于,所述晶圓與設備間接接觸的數據為晶圓與設備中的流體接觸的數據。
3.根據權利要求2所述的晶圓缺陷的分析方法,其特征在于,所述晶圓與設備間接接觸的數據為設備中的流體與晶圓的初次接觸面的數據,所述初次接觸面為非整面且相對固定的接觸面。
4.根據權利要求1所述的晶圓缺陷的分析方法,其特征在于,所述建立設備數據庫的步驟包括:
通過所述設備的工程圖紙得到所述設備的第一類數據及第二類數據;以及,
利用測試晶圓測量并修正所述設備的第一類數據及第二類數據。
5.根據權利要求1所述的晶圓缺陷的分析方法,其特征在于,所述設備數據庫還存儲有與所述第一類數據或所述第二類數據相對應的晶圓缺陷的圖像。
6.根據權利要求1所述的晶圓缺陷的分析方法,其特征在于,若所述設備相對所述晶圓運動,則所述第一類數據的角度信息為所述運動的角度信息。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的晶圓缺陷的分析方法,其特征在于,所述晶圓缺陷包括晶圓正面的缺陷及晶圓背面的缺陷。
8.根據權利要求7所述的晶圓缺陷的分析方法,其特征在于,若多個晶圓缺陷分布具有相同的特征,則將所述多個晶圓缺陷視為源于同一缺陷來源。
9.根據權利要求1所述的晶圓缺陷的分析方法,其特征在于,所述比對所述產品晶圓上的缺陷數據與所述設備數據庫中存儲的第一類數據及第二類數據的步驟包括:
比對所述產品晶圓上的缺陷數據與所述設備數據庫中存儲的第一類數據及第二類數據,并按照位置信息、角度信息及尺寸信息由高到低的重要程度進行相似度的排序。
10.一種晶圓缺陷的分析系統,其特征在于,包括:
設備數據庫,所述設備數據庫存儲有第一類數據及第二類數據,所述第一類數據為晶圓與設備直接接觸的數據,所述第二類數據為晶圓與設備間接接觸的數據,所述第一類數據及第二類數據均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息;
缺陷數據獲取模塊,用于獲取產品晶圓上的至少一個晶圓缺陷的缺陷數據,所述缺陷數據包括位置信息、尺寸信息以及角度信息;
缺陷數據比對模塊,用于比對所述產品晶圓上的缺陷數據與所述設備數據庫中存儲的第一類數據及第二類數據,并基于所述比對結果確認所述產品晶圓上的晶圓缺陷的設備來源。
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