[發明專利]一種半導體制造方法及其結構

在審

• 申請號: 202110562608.3
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN113035778A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 張曉妍;楊宗凱;曾偉翔;丁笙玹;周志文
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02;H01L23/532
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林凡燕

1.一種半導體制造方法，其特征在于，至少包括，

提供一基底，所述基底包括堆疊結構；

形成金屬互聯層于所述堆疊結構上；

形成金屬層于所述金屬互聯層上；

形成氧化層于所述金屬層上；

對所述氧化層及所述金屬層進行刻蝕，以形成溝槽；

形成第一隔離氧化層于所述溝槽內，所述第一隔離氧化層覆蓋所述溝槽底部；

形成第二隔離氧化層于所述第一隔離氧化層上；

形成氮化層于所述第二隔離氧化層上。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第一隔離氧化層于所述溝槽上包括：

獲取第一階段淀積速率及第一階段刻蝕速率；

依據所述第一階段淀積速率及所述第一階段刻蝕速率，預設第一階段淀積刻蝕比；

根據所述第一階段淀積刻蝕比，填充所述溝槽，且在低于所述金屬層頂部的位置，形成第一隔離氧化層。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一階段淀積速率包括在循環沉積刻蝕過程中的凈沉積速率和刻蝕速率。

4.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一階段淀積刻蝕比的范圍為2~3。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第二隔離氧化層于所述第一隔離氧化層上包括：

獲取第二階段淀積速率及第二階段刻蝕速率；

依據所述第二階段淀積速率及所述第二階段刻蝕速率，預設第二階段淀積刻蝕比；

根據所述第二階段淀積刻蝕比，填充所述溝槽，且在位于所述溝槽的頂部及所述氧化層頂部的位置，形成第二隔離氧化層。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二階段淀積刻蝕比的范圍為6~8。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二隔離氧化層全覆蓋所述第一隔離氧化層頂部及所述氧化層頂部。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二隔離氧化層包括填埋層及中介層，所述填埋層的深寬比小于所述溝槽的深寬比。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述溝槽非密集區為第一區域，所述溝槽密集區為第二區域，所述第一區域的厚度大于所述第二區域的厚度。

10.一種半導體結構，其特征在于，使用權利要求1-9任一所述的制造方法，其包括，

基底，包括堆疊結構；

金屬互聯層，其設置在所述堆疊結構上；

金屬層，其設置在所述金屬互聯層上；

氧化層，其設置在所述金屬層上；

溝槽，其設置在所述氧化層上，且貫穿于所述氧化層，并位于所述基底上；

第一隔離氧化層，其設置在所述溝槽上；

第二隔離氧化層，其設置在所述第一隔離氧化層上；

氮化層，其設置在所述第二隔離氧化層上，且全局覆蓋所述第二隔離氧化層。