[發明專利]圖案化第一半導體晶圓的光刻方法和圖案化的半導體晶圓

在審

• 申請號: 202110560337.8
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113359394A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 吳小真;楊棋銘;劉旭水
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于圖案化第一半導體晶圓的光刻方法，包括：

將光學掩模定位在所述第一半導體晶圓上方；

通過將來自光源的光引導穿過所述光學掩模的透明區域，圖案化所述第一半導體晶圓的第一區域；以及

通過將來自能量源的能量引導至第二區域來圖案化所述第一半導體晶圓的所述第二區域，其中，所述第二區域的圖案化包括直射束寫入。

2.根據權利要求1所述的光刻方法，其中：

所述第一區域的圖案化包括在光刻系統中的第一光刻站處圖案化所述第一區域，并且

所述第二區域的圖案化包括在所述光刻系統中的與所述第一光刻站不同的第二光刻站處圖案化所述第二區域。

3.根據權利要求1所述的光刻方法，包括：

在圖案化所述第一區域或所述第二區域中的另一個之前，圖案化所述第一區域或所述第二區域中的一個。

4.根據權利要求1所述的光刻方法，其中，所述第二區域環繞所述第一區域。

5.根據權利要求1所述的光刻方法，其中，所述第二區域是位于所述第一區域的邊界和所述第一半導體晶圓的邊緣之間的隔離區。

6.根據權利要求1所述的光刻方法，包括：

確定所述第一區域的部分的第一圖案密度；以及

將所述第二區域圖案化為第二圖案密度，其中，

所述第一圖案密度和所述第二圖案密度是相同的圖案密度。

7.根據權利要求1所述的光刻方法，其中，所述第二區域的圖案化包括形成偽圖案。

8.根據權利要求1所述的光刻方法，包括：

通過將來自所述能量源的所述能量引導至第三區域來圖案化所述第一半導體晶圓的所述第三區域，其中，所述第三區域的圖案化包括直射束寫入，其中：

所述第二區域的圖案密度是第一偽圖案密度，

所述第三區域的圖案密度是第二偽圖案密度，并且

所述第二偽圖案圖案密度與所述第一偽圖案密度不同。

9.一種通過工藝生產的圖案化的半導體晶圓，所述工藝包括：

通過將半導體晶圓在第一半導體晶圓保持器處暴露于光源來圖案化所述半導體晶圓的至少一些；

將所述半導體晶圓從所述第一半導體晶圓保持器傳送至第二半導體晶圓保持器；以及

通過將所述半導體晶圓在所述第二半導體晶圓保持器處暴露于來自直射束寫入器的能量束來圖案化所述半導體晶圓的至少一些。

10.一種在半導體晶圓上寫入光刻偽圖案的方法，包括：

通過將來自光源的光穿過光學掩模的透明區域引導至第一區域，圖案化所述半導體晶圓的所述第一區域；

確定所述第一區域的圖案密度；以及

通過將來自能量源的能量引導至第二區域來圖案化所述半導體晶圓的所述第二區域，以在所述第二區域上寫入所述光刻偽圖案，

其中，所述光刻偽圖案的圖案密度基于所述第一區域的圖案密度。