[發明專利]圖案化第一半導體晶圓的光刻方法和圖案化的半導體晶圓

在審

• 申請號: 202110560337.8
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113359394A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 吳小真;楊棋銘;劉旭水
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

公開了用于圖案化第一半導體晶圓的光刻方法。將光學掩模定位在第一半導體晶圓上方。通過將來自光源的光引導穿過光掩模的透明區域來圖案化第一半導體晶圓的第一區域。通過將來自能量源的能量引導至第二區域來圖案化第一半導體晶圓的第二區域，其中第二區域的圖案化包括直射束寫入。本發明的實施例還涉及通過工藝生產的圖案化的半導體晶圓和在半導體晶圓上寫入光刻偽圖案的方法。

技術領域

本發明的實施例涉及圖案化第一半導體晶圓的光刻方法和圖案化的半導體晶圓。

背景技術

半導體制造技術包括由半導體晶圓形成半導體管芯。許多管芯由單個晶圓形成。管芯可以包括通過使晶圓經受諸如光刻的半導體處理技術而形成的半導體電路和/或半導體器件。在形成管芯之后，切割晶圓以將單獨的管芯彼此物理分離。

發明內容

本發明的實施例提供了一種用于圖案化第一半導體晶圓的光刻方法，包括：將光學掩模定位在所述第一半導體晶圓上方；通過將來自光源的光引導穿過所述光學掩模的透明區域，圖案化所述第一半導體晶圓的第一區域；以及通過將來自能量源的能量引導至第二區域來圖案化所述第一半導體晶圓的所述第二區域，其中，所述第二區域的圖案化包括直射束寫入。

本發明的另一實施例提供了一種通過工藝生產的圖案化的半導體晶圓，所述工藝包括：通過將半導體晶圓在第一半導體晶圓保持器處暴露于光源來圖案化所述半導體晶圓的至少一些；將所述半導體晶圓從所述第一半導體晶圓保持器傳送至第二半導體晶圓保持器；以及通過將所述半導體晶圓在所述第二半導體晶圓保持器處暴露于來自直射束寫入器的能量束來圖案化所述半導體晶圓的至少一些。

本發明的又一實施例提供了一種在半導體晶圓上寫入光刻偽圖案的方法，包括：通過將來自光源的光穿過光學掩模的透明區域引導至第一區域，圖案化所述半導體晶圓的所述第一區域；確定所述第一區域的圖案密度；以及通過將來自能量源的能量引導至第二區域來圖案化所述半導體晶圓的所述第二區域，以在所述第二區域上寫入所述光刻偽圖案，其中，所述光刻偽圖案的圖案密度基于所述第一區域的圖案密度。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的光刻膠室。

圖2示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的光刻室。

圖3示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的光學掩模。

圖4A至圖4B示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的晶圓的區域。

圖5示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的光刻系統。

圖6示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的光刻系統。

圖7示出了根據一些實施例的在半導體晶圓光刻之后的晶圓。

圖8示出了根據一些實施例的在半導體晶圓光刻之后的晶圓。

圖9示出了根據一些實施例的在半導體晶圓光刻之后的晶圓。

圖10示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的光刻系統。

圖11示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的光刻系統。

圖12示出了根據一些實施例的用于半導體晶圓光刻的光刻系統。

圖13示出了根據一些實施例的半導體晶圓光刻的方法。

圖14示出了根據一些實施例的示例性計算機可讀介質。

圖15示出了根據一些實施例的示例計算環境，其中可以實現本文闡述的一個或多個規定。