[發(fā)明專利]一種扇出型封裝方法及扇出型封裝器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110560285.4
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113380728A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李尚軒;石佩佩
• 申請（專利權(quán)）人: 南通通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/488
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

本申請公開了一種扇出型封裝方法及扇出型封裝器件，所述扇出型封裝方法包括：提供扇出型封裝體，所述扇出型封裝體包括晶圓以及位于所述晶圓的功能面一側(cè)的第一介電層和焊球，其中，所述第一介電層包括第一開口，所述焊球位于所述第一開口內(nèi)；在所述第一介電層上形成第二介電層，且所述第二介電層在對應(yīng)所述焊球的位置設(shè)置有第二開口，所述焊球從所述第二開口中露出。通過上述方式，本申請能夠解決因熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致的球頸斷裂問題，延長產(chǎn)品的使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種扇出型封裝方法及扇出型封裝器件。

背景技術(shù)

隨著集成電路制造業(yè)的不斷發(fā)展，對集成電路的封裝技術(shù)要求也在不斷的提高。現(xiàn)有的封裝技術(shù)包括球柵陣列封裝、芯片尺寸封裝、圓片級封裝、三維封裝和系統(tǒng)封裝等。其中，扇出型封裝技術(shù)以其小型化、低成本和高密度的優(yōu)點迅速成為半導(dǎo)體先進封裝技術(shù)中的熱點。

現(xiàn)有的扇出型封裝技術(shù)中，基于芯片級封裝的半導(dǎo)體器件包括多個焊球，通常采用在再分布線層上形成凸塊底部金屬(UBM)的方式對焊球進行設(shè)置，將多個焊球電鍍固定于多個凸塊底部金屬開口的上方。該方式能夠增加焊球與金屬層之間的黏著力，避免其在后續(xù)上板過程中出現(xiàn)焊球斷裂的現(xiàn)象。

然而，隨著目前扇出型封裝尺寸的不斷增大，芯片的外圍因扇出型封裝結(jié)構(gòu)中的不同材料之間發(fā)生熱膨脹效應(yīng)，容易產(chǎn)生過大的應(yīng)力進而導(dǎo)致焊球球頸發(fā)生斷裂，出現(xiàn)開路問題影響半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的使用。

發(fā)明內(nèi)容

本申請主要解決的技術(shù)問題是提供一種扇出型封裝方法及扇出型封裝器件，能夠解決因熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致的球頸斷裂問題，延長芯片的使用壽命。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的一個技術(shù)方案是：提供一種扇出型封裝方法，包括：提供扇出型封裝體，所述扇出型封裝體包括晶圓以及位于所述晶圓的功能面一側(cè)的第一介電層和焊球，其中，所述第一介電層包括第一開口，所述焊球位于所述第一開口內(nèi)；在所述第一介電層上形成第二介電層，且所述第二介電層在對應(yīng)所述焊球的位置設(shè)置有第二開口，所述焊球從所述第二開口中露出。

其中，所述在所述第一介電層上形成第二介電層，且所述第二介電層在對應(yīng)所述焊球的位置設(shè)置有第二開口，所述焊球從所述第二開口中露出的步驟，包括：在所述第一介電層以及焊球上涂布形成第二介電層，其中，所述第二介電層覆蓋于所述焊球的表面；在所述第二介電層上形成第二開口，所述第二開口的位置與所述焊球的位置對應(yīng)。

其中，所述在所述第二介電層上形成第二開口，所述第二開口的位置與所述焊球的位置對應(yīng)的步驟，包括：在所述第二介電層上形成光阻，所述光阻在對應(yīng)所述焊球的位置設(shè)有第三開口，部分所述第二介電層從所述第三開口中露出；去除從所述第三開口中露出的部分所述第二介電層，以形成第二開口。

其中，所述去除從所述第三開口中露出的部分所述第二介電層，以形成第二開口的步驟之后，包括：去除所述光阻；烘烤固化所述焊球。

其中，所述扇出型封裝方法還包括：在所述第二介電層上形成第三介電層，且所述第三介電層在對應(yīng)所述焊球的位置設(shè)置有第四開口，所述焊球從所述第四開口中露出。

其中，所述提供扇出型封裝體的步驟，包括：在所述晶圓的所述功能面上形成第一再布線層，所述第一再布線層與所述功能面上的焊盤電連接；在所述第一再布線層上形成所述第一介電層，且所述第一介電層上設(shè)置有第一開口；在所述第一開口內(nèi)設(shè)置所述焊球，所述第一再布線層直接與所述焊球電連接。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種扇出型封裝器件，包括：扇出型封裝體，包括晶圓以及位于所述晶圓的功能面一側(cè)的第一介電層和焊球，其中，所述第一介電層包括第一開口，所述焊球位于所述第一開口內(nèi)；第二介電層，位于所述第一介電層上，且所述第二介電層在對應(yīng)所述焊球的位置設(shè)置有第二開口，所述焊球從所述第二開口中露出。