[發明專利]一種扇出型封裝方法及扇出型封裝器件

在審

• 申請號: 202110560285.4
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113380728A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 李尚軒;石佩佩
• 申請（專利權）人: 南通通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/488
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種扇出型封裝方法，其特征在于，包括：

提供扇出型封裝體，所述扇出型封裝體包括晶圓以及位于所述晶圓的功能面一側的第一介電層和焊球，其中，所述第一介電層包括第一開口，所述焊球位于所述第一開口內；

在所述第一介電層上形成第二介電層，且所述第二介電層在對應所述焊球的位置設置有第二開口，所述焊球從所述第二開口中露出。

2.根據權利要求1所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述在所述第一介電層上形成第二介電層，且所述第二介電層在對應所述焊球的位置設置有第二開口，所述焊球從所述第二開口中露出的步驟，包括：

在所述第一介電層以及焊球上涂布形成第二介電層，其中，所述第二介電層覆蓋于所述焊球的表面；

在所述第二介電層上形成第二開口，所述第二開口的位置與所述焊球的位置對應。

3.根據權利要求2所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述在所述第二介電層上形成第二開口，所述第二開口的位置與所述焊球的位置對應的步驟，包括：

在所述第二介電層上形成光阻，所述光阻在對應所述焊球的位置設有第三開口，部分所述第二介電層從所述第三開口中露出；

去除從所述第三開口中露出的部分所述第二介電層，以形成第二開口。

4.根據權利要求3所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述去除從所述第三開口中露出的部分所述第二介電層，以形成第二開口的步驟之后，包括：

去除所述光阻；

烘烤固化所述焊球。

5.根據權利要求1所述的扇出型封裝方法，其特征在于，還包括：

在所述第二介電層上形成第三介電層，且所述第三介電層在對應所述焊球的位置設置有第四開口，所述焊球從所述第四開口中露出。

6.根據權利要求1所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述提供扇出型封裝體的步驟，包括：

在所述晶圓的所述功能面上形成第一再布線層，所述第一再布線層與所述功能面上的焊盤電連接；

在所述第一再布線層上形成所述第一介電層，且所述第一介電層上設置有第一開口；

在所述第一開口內設置所述焊球，所述第一再布線層直接與所述焊球電連接。

7.一種扇出型封裝器件，其特征在于，包括：

扇出型封裝體，包括晶圓以及位于所述晶圓的功能面一側的第一介電層和焊球，其中，所述第一介電層包括第一開口，所述焊球位于所述第一開口內；

第二介電層，位于所述第一介電層上，且所述第二介電層在對應所述焊球的位置設置有第二開口，所述焊球從所述第二開口中露出。

8.根據權利要求7所述的扇出型封裝器件，其特征在于，

在垂直于所述第一介電層至所述第二介電層的堆疊方向上，所述焊球包括面積最大的截面，且所述截面與所述功能面之間具有第一距離；所述第二介電層背離所述第一介電層一側表面與所述功能面之間具有第二距離，所述第一距離小于或等于所述第二距離。

9.根據權利要求7所述的扇出型封裝器件，其特征在于，所述第二介電層的厚度為50-100微米。

10.根據權利要求7所述的扇出型封裝器件，其特征在于，還包括：

第三介電層，位于所述第二介電層遠離所述第一介電層的一側，且在對應所述焊球的位置設置有第四開口，所述焊球從所述第四開口中露出。