[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110559784.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113725121A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 平瀬圭太;小倉(cāng)康司;吉田博司;永井高志;野中純;本田拓巳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
本發(fā)明提供一種基板處理裝置以及基板處理方法。適當(dāng)?shù)貙?shí)施利用包含磷酸水溶液和硅溶液的蝕刻液進(jìn)行的蝕刻處理。本公開(kāi)的一個(gè)方式的基板處理裝置具備處理槽、混合裝置、送液路徑以及控制部。處理槽使基板浸漬于處理液來(lái)對(duì)基板進(jìn)行處理。混合裝置將磷酸水溶液與添加劑混合來(lái)生成成為處理液的原料的混合液。送液路徑將混合液從混合裝置送到處理槽。控制部控制各部。另外,控制部使得將混合裝置中磷酸濃度變?yōu)楸缺还┙o到混合裝置時(shí)的第一濃度高的第二濃度的混合液從混合裝置輸送到正在對(duì)基板進(jìn)行浸漬處理的處理槽。
技術(shù)領(lǐng)域
公開(kāi)的實(shí)施方式涉及基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)
已知以往在基板處理系統(tǒng)中,通過(guò)將基板浸漬到包含磷酸水溶液和用于抑制氧化硅(SiO2)的沉積的添加劑的蝕刻液中來(lái)對(duì)所述基板進(jìn)行蝕刻處理(參照專利文獻(xiàn)1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2017-118092號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題
本公開(kāi)提供一種能夠適當(dāng)?shù)貙?shí)施利用包含磷酸水溶液和沉積抑制劑的蝕刻液進(jìn)行的蝕刻處理的技術(shù)。
用于解決問(wèn)題的方案
本公開(kāi)的一個(gè)方式的基板處理裝置具備處理槽、混合裝置、送液路徑以及控制部。處理槽使基板浸漬于處理液來(lái)進(jìn)行處理。混合裝置將磷酸水溶液與添加劑混合來(lái)生成成為所述處理液的原料的混合液。送液路徑將所述混合液從所述混合裝置送到所述處理槽。控制部控制各部。另外,所述控制部使得將所述混合裝置中磷酸濃度變?yōu)楸缺还┙o到所述混合裝置時(shí)的第一濃度高的第二濃度的所述混合液從所述混合裝置輸送到正在對(duì)所述基板進(jìn)行浸漬處理的所述處理槽。
發(fā)明的效果
根據(jù)本公開(kāi),能夠適當(dāng)?shù)貙?shí)施利用包含磷酸水溶液和沉積抑制劑的蝕刻液進(jìn)行的蝕刻處理。
附圖說(shuō)明
圖1是示出實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概要框圖。
圖2是示出實(shí)施方式所涉及的初次將混合液輸送到處理槽時(shí)的各種處理中的、基板處理系統(tǒng)的各部的行為模式的具體例的時(shí)序圖。
圖3是示出實(shí)施方式所涉及的初次將混合液輸送到處理槽時(shí)的各種處理中的、基板處理系統(tǒng)的各部的行為模式的具體例的時(shí)序圖。
圖4是示出實(shí)施方式所涉及的對(duì)處理槽的蝕刻液的硅濃度進(jìn)行調(diào)整時(shí)的各種處理中的、基板處理系統(tǒng)的各部的行為模式的具體例的時(shí)序圖。
圖5是用于說(shuō)明實(shí)施方式所涉及的對(duì)處理槽內(nèi)的蝕刻液進(jìn)行更換的處理的詳細(xì)情況的圖。
圖6是用于說(shuō)明實(shí)施方式所涉及的對(duì)處理槽內(nèi)的蝕刻液進(jìn)行更換的處理的詳細(xì)情況的圖。
圖7是用于說(shuō)明實(shí)施方式所涉及的對(duì)處理槽內(nèi)的蝕刻液進(jìn)行更換的處理的詳細(xì)情況的圖。
圖8是示出實(shí)施方式的變形例1所涉及的基板處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概要框圖。
圖9是示出實(shí)施方式的變形例1所涉及的基板處理系統(tǒng)的各部的處理流程的具體例的圖。
圖10是示出實(shí)施方式的變形例2所涉及的基板處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概要框圖。
圖11是示出實(shí)施方式的變形例2所涉及的基板處理系統(tǒng)的各部的處理流程的具體例的圖。
圖12是示出實(shí)施方式的變形例3所涉及的初次將混合液輸送到處理槽時(shí)的各種處理中的、基板處理系統(tǒng)的各部的行為模式的具體例的時(shí)序圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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